Сборка и монтаж интегральных микросхем. Романова М.П. - 9 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

тактной площадки наносят полоску 5 из материала, который не смачивается

припоем (рис. 1.2).

Рис. 1.2. Ограничение растекания припоя объемного вывода: 1 - контактная площад-

ка; 2 - объемный вывод; 3 - кристалл; 4 - коммутационная плата;

5 - ограничительная полоска

Бескорпусные БИС с объемными выводами устанавливают на керамиче-

ские, полиимидные и кремниевые коммутационные платы. За счет разницы

температурных коэффициентов расширения (ТКР) материалов кристалла и

коммутационной платы при эксплуатации аппаратуры в объемных выводах

возникают значительные механические напряжения (срезающие усилия). С

ростом размеров кристаллов эти усилия увеличиваются. Для кристаллов, пло-

щадь которых превышает 15 мм

, выбор материалов коммутационных плат

имеет принципиальное значение. Для обеспечения надежного соединения объ-

емных выводов с контактными площадками коммутационных плат усилие среза

должно быть в 1,5 – 2 раза меньше прочности соединения объемный вывод – контакт-

ная площадка кристалла и прочности материала вывода. Установлено, что при монта-

же кристаллов БИС площадью более 15 мм

на керамические коммутационные платы

возникающие усилия приводят к разрушению объемных выводов. Воздействующие

на объемные выводы усилия уменьшают повышением эластичности коммутационной

платы или изготовлением ее из материалов с ТКР, близким к ТКР кремния.

При установке БИС на керамические к кремниевые коммутационные платы раз-

новысотность объемных выводов должна находиться в пределах ± (1 – 2) мкм. На

многослойные полиимидные платы устанавливают кристаллы БИС с большим допус-

ком объемных выводов по разновысотности (до ± 5 мкм). В этом случае повышенный

разброс высоты объемных выводов компенсируют созданием на коммутационной

плате соответствующего металлизированного припоем отверстия вместо плоской об-

луженной контактной площадки.