Строение и свойства вещества. Изд. 2-е, переработанное. Розман Г.А. - 240 стр.

                                                 е 4 hν 0
                        U вз = E0вз − E0 ≈ −                     .
                                               32π 2ε 02 к 2 r 6
               Это соответствует возникновению сил притяжения между осцилляторами

                                dU вз     3е 4 hν 0 1
                        F =−          =−              ⋅ .
                                 dr      16π 2ε 02 к 2 r 7

                     7. Расчет концентрации дефектов по Шоттки
             Вычислим равно-
       весную концентрацию де-
       фектов Шоттки.
             Поясним чертежом
       процесс образования этих
       дефектов (см. рис.7.1). Для
       описания физических про-
       цессов используются раз-
       ные термодинамические
       функции.
             Каждая из них
       «удобна» при определен-
       ных условиях. В данной
       задаче воспользуемся так
       называемой свободной
       энергией F , которая оп-
       ределяется так:
                                                  Рис. 7.1.
        F = E − TS ,
       где    E = nU , U   - энергия, необходимая для образования одного дефекта Шоттки,

        n    - число вакантных узлов при данной температуре   Т; S - энтропия кристалла с n
       дефектами. Согласно формуле Больцмана
                        S = k lnW ,
                                                ( N + n )!
               гдеk - постоянная Больцмана, W = n! N! - число перестановок узлов
       решетки (свободных n и занятых N ), осуществляющих одно и то же состояние кри-

       сталла. При N >> n можно воспользоваться приближенной формулой Стирлинга


                                                                                       256




PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com