Проектирование специализированных СБИС. Рындин Е.А. - 19 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

21
глощает менее 10% падающего рентгеновского излучения. Наиболее распро-
страненными рентгенорезистами являются ПММА - полиметилметакрилат
(позитивный) и СОР (негативный).
Таким образом, несмотря на то, что рентгенолитографические установки
(рис. 16) позволили получать минимальные размеры элементов микрорисунка
порядка 0,5 мкм, все перечисленные особенности рентгенолитографии не
позволили ей выступить в качестве полной альтернативы фотолитографии.
Для дальнейшего сокращения минимальных размеров областей интегральных
компонентов требовались новые, более перспективные методы.
Таким методом, сочетаю-
щим в себе основные преиму-
щества фото- и рентгенолито-
графии, явилась электронно-
лучевая литография. В данном
случае резист экспонируется
направленным сфокусирован-
ным электронным лучом.
Длина волны де Бройля
для электрона составляет ты-
сячные доли нанометра. Сле-
довательно, явление дифрак-
ции в данном случае можно не
учитывать. Источники элек-
тронных пучков характеризу-
ются достаточно высокой яр-
костью порядка 10
8
А/(см
2
ср),
что позволяет сократить время экспонирования элементов микрорисунка до
секунд, а также малым разбросом энергий электронов в пучке (около 0,4 эВ),
благодаря чему удается уменьшить характерные искажения [3-5].
Поскольку электроны обладают электрическим зарядом, они взаимодей-
ствуют с электрическими и магнитными полями, что позволяет создавать
электростатические и магнитные линзы, обеспечивающие фокусировку и цен-
тровку электронного луча, а также возможность сканирования по поверхности
образца.
Дополнительным важным преимуществом электронно-лучевой литогра-
фии является возможность экспозиции непосредственно слоя оксида кремния
без использования резистов. Экспонированные области оксида травятся в
несколько раз быстрее, чем неэкспонированные.
Рис. 15. Проецирование рисунка
посредством рентгеновского излучения

Страницы