Контроль параметров микроструктуры материалов методами дифракционного анализа - 10 стр.

UptoLike

экспериментах по физике твердого тела. Рентгеновская пленка В
используется для получения обратных лауэграмм (обратных
дифракционных картин).
Каждая отражающая плоскость кристалла выбирает из
падающего пучка излучение с той длиной волны, которая
удовлетворяет закону Брэгга. Получаемая дифракционная картина
характеризует симметрию кристалла: если кристалл, обладающий
осью симметрии четвертого порядка, ориентирован так, что эта ось
параллельна падающему пучку, то лауэграмма также будет обладать
осью симметрии четвертого порядка, что отчетливо наблюдается на
рисунке 4. Лауэграммы широко используются для ориентации
кристаллов при экспериментальном изучении различных твердых тел.
Рис.4. Лауэграмма кристалла кремния, снятая в направлении,
близком к [100]
Видно, что лауэграмма почти инвариантна относительно
вращения на угол
4
π2
. Эта инвариантность обусловлена тем, что в
кремнии с направлением [100] совпадает ось симметрии четвертого
порядка. Черное пятно в центре пленки — нерабочая часть пленки.
Метод Лауэ практически никогда не применяется для определе-
ния кристаллической структуры. Дело в том, что одна и та же атомная
плоскость может давать несколько отражений различных порядков,
так как для получения лауэграмм используется широкий интервал
значений длин волн; поэтому отдельные пятна на лауэграмме могут
10