Контроль параметров микроструктуры материалов методами дифракционного анализа - 28 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

Величину
j
f
атомным фактором рассеяния или форм-фактором.
Пусть r образует угол
α
с G; тогда
αcosrG=rG
. Если распределение
электронной плотности обладает сферической симметрией
относительно начала координат, то
( )
∫∫
−
−
−
≡
drr
iGr
ee
c(r)=drrdc(r)ef
iGriGr
iGr
G
22αcos
π2αcos π2
,
где было выполнено интегрирование по
( )
αcosd
в пределах от
—1 до 1. Таким образом, величина атомного фактора рассеяния
определяется выражением:
( )
∫
drr
Gr
Gr
rc=f
G
2
sin
π4
. (33)
Если тот же самый электронный заряд был бы сконцентрирован
в начале координат, где r = 0, то в интеграле выражения (33) только
произведение Gr = 0 должно было бы вносить вклад в
подынтегральное выражение. В этом предельном случае
1
sin
=
Gr
Gr
, и
для всех G
(34)
где Z — число электронов в атоме. Поэтому
G
f
— это
отношение амплитуды излучения, рассеянного реальным
распределением электронов в атоме, к амплитуде излучения,
рассеянного одним электроном, расположенным в точке.
6. ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЛИНИЙ
ОТРАЖЕНИЯ
По мере повышения температуры кристалла интенсивность
лучей, испытавших Брэгговское отражение, уменьшается, однако
угловая ширина линии отражения (дифракционной линии) не
изменяется. Удивительно, что можно получить четкое отражение при
дифракции рентгеновских лучей на кристалле, атомы которого
совершают неупорядоченные тепловые колебания относительно своих
положений равновесия; амплитуда этих колебаний достаточно велика,
в результате чего при комнатной температуре мгновенные значения
расстояний между ближайшими соседними атомами могут отличаться
на 10%. мгновенное расположение атомов в кристалле при комнатной
28

Страницы