ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Лабораторная работа 1
ЭЛЕМЕНТЫ, КОМПОНЕНТЫ И ТОПОЛОГИЯ
ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
Цель работы: изучение элементов, компонентов и топологии, предварительное знакомство с ос-
новными этапами технологического процесса гибридных интегральных микросхем.
Приборы и принадлежности: бинокулярный микроскоп, комплект масок, подложки с различных
операций техпроцесса.
Методические указания
Интегральная микросхема (ИМС) – конструктивно законченное изделие микроэлектронной техни-
ки, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала, изготовленное в еди-
ном технологическом цикле, воспринимаемое (неразделимой частью) как компонент в устройстве элек-
тронной техники.
Интегральные микросхемы чаще всего имеют ряд общих конструктивных элементов (рис. 1.1).
Основной, определяющей тип ИМС, частью является подложка или кристалл 1. В ней или на ее по-
верхности формируются элементы, реализующие схемотехническую задачу. Корпус 2, крышка 3, внешние
4 и гибкие 5 выводы выполняют ряд вспомогательных задач: защиту от внешних воздействий, коммутацию
входных и выходных сигналов, удобство монтажа и т.п.
В зависимости от типа подложки и способа реализации элементов
различают полупроводниковые и
пленочные ИМС.
В полупроводниковых ИМС элементы выполняются непосредственно в поверхностном слое на не-
большом расстоянии друг от друга с коммутацией в виде тонкопленочных дорожек на поверхности.
В полупроводниковых ИМС выполняются с хорошей воспроизводимостью активные элементы
(транзисторы, диоды и др.), в то же время нерационально из-за большой площади изготавливать пас-
сивные элементы.
Эта особенность позволяет выполнять множество различных устройств типа генераторов, пускате-
лей, детекторов и др. В пленочных ИМС элементы выполняются на поверхности пассивной подложки
(стекло, керамика, ситал и др.) в виде тонких и толстых пленок.
Рис. 1.1 Конструкция интегральной микросхемы:
1 – подложка или кристалл; 2 – корпус; 3 – крышка;
4 – внешние выводы; 5 – гибкие выводы
В пленочных ИМС затруднительно получение активных элементов, однако прекрасные возможности
для формирования всего набора пассивных.
Указанные типы микросхем невзаимозаменямые или конкурирующие, а скорее дополняющие друг
друга. В частности, на поверхности полупроводниковых ИМС могут выполняться в виде пленок пассив-
ные элементы (резисторы, конденсаторы и др.). Такие ИМС называют совмещенными.
Система обозначения микросхем
Конструктивно-технологические варианты ИМС регламентируются ГОСТ 18682–73, ОСТ
11.073.915–80 по группам, подгруппам и видам.
Обозначение интегральной микросхемы (рис. 1.2) включает ряд элементов:
• первый элемент – цифра, обозначающая группу (1, 2, 3, ..., 8); группа определяет конструктивно-
технологический вариант: 1, 5, 6, 7 – полупроводниковые; 2, 4, 8 – гибридные; 3 – пленочные и другие;
• второй элемент – две (от 00 до 99) или три цифры (от 000 до 999), означают порядковый номер
разработки ИМС;
• третий элемент – две буквы, обозначающие подгруппу и вид ИМС; подгруппа дает представле-
ние о функциональном назначении и обозначается одной буквой; внутри подгруппы идет разделение на
2
1 5
4
3
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- …
- следующая ›
- последняя »
