ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Рис. 1.2 Структура условного обозначения ИМС
Степень интеграции (СИ) является общим показателем уровня производства микросхем и употреб-
ляется для характеристики микросхем; необходимость введения такого параметра вызвана тем, что со-
временные микросхемы по количеству активных элементов различаются на несколько порядков. Для
характеристики уровня технологических процессов введено понятие интегральной плотности, опреде-
ляемое как число элементов, приходящихся на единицу площади подложки
нн
S
W
S
N
W
N
K
==
, (1.2)
где W – интегральная плотность элементов на подложке; S
п
– площадь подложки (кристалла) микросхе-
мы, мм
2
, см
2
.
Плотность упаковки отражает соотношение размеров наиболее важного компонента микросхемы
(подложки) и внешних ее размеров. Плотность упаковки оценивается как отношение числа элементов и
компонентов микросхемы к площади, занимаемой этой микросхемой на плате
м
1
S
N
W =
, (1.3)
где W
1
– плотность упаковки; S
м
– площадь, занимаемая микросхемой на плате, см
2
.
В случае, если выводы находятся в пределах проекции корпуса, то S
м
соответствует площади про-
екции корпуса, см
2
.
Употребление для характеристики сложности микросхемы таких терминов как большая интеграль-
ная схема (БИС), сверхбольшая ИМС (СБИС), ультрабольшая ИМС (УБИС) связано со степенью инте-
грации; степень интеграции БИС – 3, СБИС – 4-5, УБИС – 6-8. В таких микросхемах элементы выпол-
нены предельно малых размеров и дальнейшее увеличение степени интеграции связано в большей сте-
пени с увеличением площади кристалла.
Расширение функциональной сложности микроэлектронных устройств на ближайшее будущее свя-
зывают использованием в них БИС и СБИС в качестве элементной базы. Плотность упаковки элементов
микроэлектронных устройств такого типа предлагается оценивать не только на площади, но и в объеме
γ
V
= N / V, (1.4)
где γ
V
– плотность упаковки элементов в объеме, шт/см
3
; N – число активных элементов в микроэлек-
тронном устройстве, например, в функциональной ячейке (ФЯ); V – объем микроэлектронного устрой-
ства, см
3
.
Распространена оценка качества компоновки микроэлектронных устройств коэффициентами дезин-
теграции площади q
s
, объема q
V
и массы q
m
в принятом варианте
N
s
S
S
q =
; (1.5)
m
V
V
V
q =
; (1.6)
N
m
m
m
q =
, (1.7)
где S, V, m – полные суммарные площадь, объем и масса микроэлектронного устройства или ФЯ; S
N
, V
m
,
m
N
– суммарные площадь, объем и масса полезной (схемной) части микроэлектронного устройства или
ФЯ.
Коэффициенты дезинтеграции показывают степень дезинтеграции микроэлектронной элементной
базы в законченных изделиях микроэлектронной аппаратуры или потери показателей качества, достиг-
нутые в интегральных микросхемах; чем ближе значения коэффициентов к единице, тем ближе уровень
разработки конструкции к уровню, достигнутому в интегральных микросхемах.
Порядок выполнения работы
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »
