Физико-химические основы технологии электронных средств. Шелохвостов В.П - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

1 Изучить конструкцию предложенной ГИМС, расшифровать условные обозначения, основные
компоненты ИМС, их взаимное расположение, способы соединения.
2 Изобразить эскиз сборки, включающий корпус, крышку, выводы, подложку с указанием спосо-
бов крепления, герметизации.
3 Воспроизвести в эскизе топологию микросхемы. Следует иметь в виду, что:
• резистивные пленки всегда имеют более темный зеркальный оттенок по сравнению с проводя-
щими пленками:
• пленки тантала и нитрида титана практически неотличимы друг от друга;
• самый светлый оттенок, благодаря большой площади, имеют обкладки конденсаторов;
• поверхность подложки с пленкой тантала после грунтовой термообработки приобретает перла-
мутровый оттенок;
• по периметру подложки можно видеть границу между поверхностью подложки (чистый белый
цвет) и краем подложки с отожженной пленкой тантала (перламутровый цвет);
• в качестве изоляции поверхности в листах монтажа активных элементов используется монооксид
германия, имеющий желтый цвет;
• в случае последовательного выполнения резисторов и последующего проводящего слоя на всю
поверхность можно видеть границы топологического рисунка резисторов.
При воспроизведении топологии следует также найти и изобразить ключ, например, треугольник в
одном из углов подложки.
4 По топологическому рисунку воспроизвести принципиальную электрическую схему.
5 Ознакомиться с основным технологическим процессом по образцам подложек, взятым с различ-
ных операций: чистая подложка (указать тип материала); подложка с напыленными резистивными
пленками; свободная маска с рисунком, соответствующим топологии резистора; подложка с напылен-
ной металлической разводкой и резистивными пленками; маска для металлической разводки; маски для
изготовления конденсаторов; подложки с выполненными резисторами, конденсаторами, металлической
разводкой; подложки после нанесения всех необходимых слоев и после разделения на модули, соответ-
ствующие готовой микросхеме (процесс разделения обычно выполняется скрайбированием); подложки
после монтажа в корпусе; микросхема с монтажом навесных компонентов; микросхема после разварки
выводов; готовая герметизированная микросхема.
При изучении технологического процесса следует параллельно знакомиться с принципиальной
схемой важнейших операций и приспособлениями.
6 Ознакомиться с маршрутной картой изготовления ГИМС.
Обратить внимание на последовательность операций, на используемые приспособления, оборудо-
вание.
7 Для представленной микросхемы составить блочную маршрутную технологию с включением в
каждый блок ряда элементарных сходных операций.
Содержание отчета
Название, цель работы, эскиз конструкции и топологии ИМС, принципиальная электрическая схема
ИМС, маршрутная технология.
Контрольные вопросы
1 Основные материалы, применяемые при изготовлении ИМС.
2 Технологические ограничения при разработке топологии ИМС.
3 Последовательность нанесения пленочных слоев.
4 Методы получения рисунка схемных элементов.
5 Причины выполнения активных элементов в дискретном виде.
Лабораторная работа 2
Влияние температуры на скорость
химической реакции

Страницы