Физико-химические основы технологии электронных средств. Шелохвостов В.П - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

виды. Ниже приведена справочная информация в виде перечислений наименований подгрупп с их бук-
венным обозначением; в скобках даны обозначения и наименования видов;
• ЧЕТВЕРТЫЙ ЭЛЕМЕНТ – УСЛОВНЫЙ НОМЕР РАЗРАБОТКИ ИМС ПО ФУНКЦИО-
НАЛЬНОМУ ПРИЗНАКУ В ДАННОЙ СЕРИИ, СТАВИТСЯ В СЕРИЯХ РАЗРАБОТОК ИМС,
ПРЕДНАЗНАЧЕННЫХ ДЛЯ СОВМЕСТНОГО ПРИМЕНЕНИЯ В АППАРАТУРЕ И ИМЕЮ-
ЩИХ ЕДИНОЕ КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ИСПОЛНЕНИЕ.
Генераторы (Г) [ГС – гармонических сигналов, ГГ – прямоугольных, ГЛ – линейно изменяющиеся
сигналы, ГФ – специальной формы, ГМ – шума, ГП – прочие]; логические элементы (Л) [ЛИ-элемент
И, ЛЛ – ИЛИ, ЛН – НЕ, ЛМ – И-ИЛИ, ЛБ – НЕ/ИЛИ-НЕ, ЛР – И-ИЛИ-НЕ, ЛК – И-ИЛИ-НЕ/И-ИЛИ,
ЛА – И-НЕ]; детекторы (Д) [ДА -амплитудные, ДИ – импульсные, ДИ – частотные, ДФ – фазовые, ДП
– прочие]; коммутаторы и ключи (К) [КТ – тока, КН – напряжения, КП – прочие]; многофункцио-
нальные схемы (Х) [ХК – комбинированные, ХП – прочие]; модуляторы (М) [МА – амплитудные, МС
– частотные, МФ – фазовые, МИ – импульсные, МП – прочие]; наборы элементов (Н) [НД – диодов,
НТ – транзисторов, НР – резисторов, НЕ – конденсаторов, НК – комбинированные, НП – прочие]; пре-
образователи (П) [ПС – частоты, ПФ – фазы, ПФ – длительности, ПН – напряжения, ПМ – мощности,
ПУ – уровня (согласователь), ПА – код-аналог, ПВ – аналог-код, ПР – код-код, ПП – прочие]; схемы
вторичных источников питания (Е) [ЕВ – выпрямители, ЕМ – преобразователи, ЕН – стабилизаторы
напряжения, ЕТ – стабилизаторы тока, ЕП – прочие]; схемы задержки (Б) [БМ – пассивные, БР – ак-
тивные, БП – прочие]; схемы селекции и сравнения (С) [СА – амплитудные (уровня и сигнала), СВ –
временные, СС – частотные, СФ – фазовые, СП – прочие]; триггеры (Т) [ТВ – типа В, ТР – типа Р, ТМ
– типа М, ТТ – типа Т, ТП – динамические, ТЛ – Шмидта, ТК – комбинированные, ТП – прочие]; уси-
лители (У) [УВ – высокой частоты, УР – промежуточной, УИ – импульсных сигналов, УЕ – повторите-
ли, УЛ – считывания и воспроизведения, УМ – индикации, УТ – постоянного тока, УД – операционные
и дифференциальные, УП – прочие]; фильтры (Ф) [ФВ – верхних частот, ФН – нижних частот, ФБ –
полосовые, ФР – режекторные, ФП – прочие]; формирователи (А) [АГ – импульсов прямоугольной
формы, АФ – импульсов специальной формы, АА – адресных токов, АР – разрядных токов, АП – про-
чие]; элементы запоминающих устройств (Р) [РМ – матрицы-накопители оперативных запоминаю-
щих устройств, РВ – матрицы-накопители постоянных запоминающих устройств, РУ – матрицы-
накопители оперативных запоминающих устройств со схемами управления, РЕ – матрицы-накопители
постоянных запоминающих устройств со схемами управления, РП – прочие]; элементы арифметиче-
ских и дискретных устройств (И) [ИР – регистры, ИМ – сумматоры, ИЛ – полусумматоры, ИЕ – счет-
чики, ИВ – шифраторы, ИД – дешифраторы, ИК – комбинированные, ИП – прочие].
На рис. 1.2 в качестве примера приведена структура условного обозначения ИМС 140УД11.
Функциональная сложность оценивается степенью интеграции, интегральной плотностью элемен-
тов на подложке и плотностью упаковки.
Степень интеграции понимают как число элементов и компонентов на кристалле (подложке) в раз-
личном представлении; количественно ее
оценивают числом активных элементов на кристалле N или коэффициентом K
N
K
N
= lg N, (1.1)
где K
N
– степень интеграции ИМС; N – число активных элементов на кристалле [подсчитывается по
принципиальной электрической схеме или непосредственно по топологии кристалла (модуля) с исполь-
зованием увеличения 50–100
х
].
1 40 У Д 11
Порядковый номер разработки
ИМС (по функциональному
признаку)
Вид (по функциональному назна-
чению)
Подгруппа
Порядковый номер разработки ИМС данной се-
рии
Группа (по конструктивно-технологическому испол-
нению)

Страницы