Составители:
Рубрика:
N
V
= ρ /m
эл
= ρ/(m
0
Z) = ρN
A
/(µZ),
где ρ - плотность кристалла. Объем одной элементарной ячейки: V
c
=
1/N
V
. С другой стороны, для решетки кубической сингонии V
c
= a
3
, где а –
параметр решетки. Следовательно,
a =
3
√
µ
Z/(
ρ
N
A
)
или
ρ = µZ/(N
A
a
3
) (4)
1.3. Геометрические элементы кристалла. Вектор обратной решетки.
Если заданы основные векторы решетки, а
1
, a
2
, а
3
, то положение
любого узла решетки, согласно формуле (1), определяется заданием трех
целых чисел, n
1
, n
2
,n
3
, которые называются индексами узла и
записываются в виде: [[n
1
,n
2
,n
3
]].
Направление в кристалле – прямая, проходящая через начало координат
и один из узлов. Оно однозначно определяется индексами ближайшего к
началу координат узла, через который проходит эта прямая, и
обозначается: [n
1
,n
2
,n
3
]. Плотность атомов (число узлов на единицу
длины) в разных направлениях может быть различной, что и определяет
анизотропию кристалла.
Любые три узла решетки, не лежащие на одной прямой, определяют
кристаллическую плоскость. Эта плоскость, очевидно, содержит
бесчисленное множество узлов. Уравнение любой плоскости, в том числе
и кристаллической, можно записать в виде:
(r b) = 1, (5)
где r (x,y,z) – текущие координаты точки плоскости, b – постоянный
вектор, перпендикулярный данной плоскости. Расстояние плоскости от
начала координат: D = 1/|b|. В случае кристаллической плоскости (а
только такая плоскость представляет интерес) вектор b удобно выбирать в
виде разложения
b = q
1
b
1
+ q
2
b
2
+ q
3
b
3
(6)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »
