Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 14 стр.

Работа в лаборатории:
1. Изучить полупроводниковые пластины.
2. Изучить подложки ГИС.
3. Занести результаты в таблицу.

Порядок выполнения работы
1. Получить кассету Л1 с номером варианта.
2. Рассмотреть под увеличением образцы исходных подложек с номерами 1-
   4: 1-кремниевая пластина; 2 - германиевая пластина; 3 - арсенидгаллиевая
   пластина; 4 - фосфидгаллиевая пластина.
3. Определить характерные признаки внешнего вида образцов (цвет, матовая
   или зеркальная поверхность, наличие рисок), свойства и область
   применения. Результаты анализа занести в таблицу. Необходимые данные
   по параметрам пластин см. в табл. 1.
4. Рассмотреть под увеличением образцы подложек для ГИС с номерами 5-9:
   5-ситалл (Ст39-1); 6-поликор (99,8%); 7-керамика 22ХС; 8-полиимид;
   9-металлическая (титалан).
5. Запомните характерные признаки внешнего вида подложек. Укажите
   область применения подложек, параметры и характеристики подложек,
   определяющие их применение (ε, tgσ, ТКЛР, λ). Необходимые данные по
   параметрам см. в табл. 3. Результаты анализа занести в таблицу.

Контрольные вопросы
1. Поясните     следующие     термины:    полупроводниковая   пластина,
   полупроводниковая микросхема, подложка ИС.
2. Дать определение тонкоплёночной и толстоплёночной микросхемы.
   Характерные признаки этих микросхем.
3. Дать определение гибридной микросхемы. Характерные признаки
   гибридных микросхем.
4. Каким требованиям должны удовлетворять подложки микросхем? Каково
   назначение различных типов подложек?
5. Дать определение интегральной микросхемы.
6. Что такое активные и пассивные элементы ИМС?
7. Какие требования предъявляют к полупроводниковым материалам?
8. Сравните кремний, германий и арсенид галлия как материалы для
   полупроводниковых ИМС.




                                 14