ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
30
- «заляпать» руками по всех площади пластины;
- ватным тампоном на пинцете нанести по всех поверхности пластины
равномерный слой жирного растворителя (бензол, толуол и т.д.);
- ватным тампоном на пинцете нанести по всей площади пластины
четыреххлористый углерод;
- нанести на поверхность и растереть технический вазелин;
- загрязнить поверхность очень незначительным количеством вакуумной
смазки. Дать выстояться загрязненным поверхностям в течение 5-10 минут,
после чего они готовы к дальнейшим испытаниям.
Одну подложку (тестовую) оставить чистой.
4.5. Нанести на чистую тестовую подложку тонкую металлическую пленку либо
методом вакуумного испарения, либо магнетронного распыления.
4.6. Затем нанести металлические пленки на загрязненные поверхности тем же
методом, что и в п. 4.5. Напыление пленок на чистую и загрязненные
поверхности следует проводить в различных партиях эксперимента.
4.7. После нанесения пленок произвести их визуальный осмотр и результаты
осмотра занести в таблицу формы 3.
4.8. Испытать полученные металлические слои на подложках на факт их
истирания, для этого провести по поверхности пластины несколько раз сухим
ватным тампоном. Результаты занести в таблицу формы 3.
4.9. Оставшиеся после истирания металлические слои испытать на прочность их
сцепления с подложкой на ультразвуковой установке, зафиксировав время их
разрушения под действием ультразвука. Результаты испытаний занести в
таблицу формы 3.
4.10. По результатам работы сделать выводы.
ВНИМАНИЕ! Так как данная работа многовариантна, то обязательно необходимо
в лабораторном журнале вести протокол испытаний, фиксируя все свои действия,
используемые рецептуры и реактивы, а также различные методы. Без протокола
лабораторная работа преподавателем не принимается и считается не выполненной.
Контрольные вопросы
1. Какие типы загрязнений вы знаете, и что является их источником в
технологии микроэлектроники?
2. Приведите общую классификацию методов очистки подложек с их
преимуществами и недостатками, охарактеризуйте наиболее вероятные их
области применения.
3. Охарактеризуйте метод очистки - обезжиривание в органических
растворителях: область его применения, используемые реактивы,
назначение, преимущества и недостатки.
4. Охарактеризуйте метод очистки - обезжиривание в активных средах:
область его применения, используемые реактивы, назначение, преимущества
и недостатки.
5. Охарактеризуйте метод очистки - химическое травление: область его
применения, используемые реактивы, назначение, преимущества и
недостатки.
6. Охарактеризуйте типы правителей, применяемых в технологии
микроэлектроники для целей жидкостной обработки.
7. Охарактеризуйте методы жидкостного травления германия в технологии
микроэлектроники: схемы химических реакций, условие их проведения.
- «заляпать» руками по всех площади пластины; - ватным тампоном на пинцете нанести по всех поверхности пластины равномерный слой жирного растворителя (бензол, толуол и т.д.); - ватным тампоном на пинцете нанести по всей площади пластины четыреххлористый углерод; - нанести на поверхность и растереть технический вазелин; - загрязнить поверхность очень незначительным количеством вакуумной смазки. Дать выстояться загрязненным поверхностям в течение 5-10 минут, после чего они готовы к дальнейшим испытаниям. Одну подложку (тестовую) оставить чистой. 4.5. Нанести на чистую тестовую подложку тонкую металлическую пленку либо методом вакуумного испарения, либо магнетронного распыления. 4.6. Затем нанести металлические пленки на загрязненные поверхности тем же методом, что и в п. 4.5. Напыление пленок на чистую и загрязненные поверхности следует проводить в различных партиях эксперимента. 4.7. После нанесения пленок произвести их визуальный осмотр и результаты осмотра занести в таблицу формы 3. 4.8. Испытать полученные металлические слои на подложках на факт их истирания, для этого провести по поверхности пластины несколько раз сухим ватным тампоном. Результаты занести в таблицу формы 3. 4.9. Оставшиеся после истирания металлические слои испытать на прочность их сцепления с подложкой на ультразвуковой установке, зафиксировав время их разрушения под действием ультразвука. Результаты испытаний занести в таблицу формы 3. 4.10. По результатам работы сделать выводы. ВНИМАНИЕ! Так как данная работа многовариантна, то обязательно необходимо в лабораторном журнале вести протокол испытаний, фиксируя все свои действия, используемые рецептуры и реактивы, а также различные методы. Без протокола лабораторная работа преподавателем не принимается и считается не выполненной. Контрольные вопросы 1. Какие типы загрязнений вы знаете, и что является их источником в технологии микроэлектроники? 2. Приведите общую классификацию методов очистки подложек с их преимуществами и недостатками, охарактеризуйте наиболее вероятные их области применения. 3. Охарактеризуйте метод очистки - обезжиривание в органических растворителях: область его применения, используемые реактивы, назначение, преимущества и недостатки. 4. Охарактеризуйте метод очистки - обезжиривание в активных средах: область его применения, используемые реактивы, назначение, преимущества и недостатки. 5. Охарактеризуйте метод очистки - химическое травление: область его применения, используемые реактивы, назначение, преимущества и недостатки. 6. Охарактеризуйте типы правителей, применяемых в технологии микроэлектроники для целей жидкостной обработки. 7. Охарактеризуйте методы жидкостного травления германия в технологии микроэлектроники: схемы химических реакций, условие их проведения. 30
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- …
- следующая ›
- последняя »