Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 11 стр.

UptoLike

Составители: 

11
гальванически осажденным на поверхности фольги медным слоем. При травлении
медных слоев толщиной 70 мкм заужение проводника за счет бокового
подтравливания по отношению к размерам на фотошаблоне составляет 50 мкм.
Разброс значений ширины проводников составляет примерно ±15-50 мкм.
Минимальная устойчиво воспроизводимая ширина зазора в СПФ-2 толщиной 60
мкм - 180 - 200 мкм.
Из сказанного следует, что рассматриваемая технология имеет ограничения
по разрешению, т.е. минимально воспроизводимая ширина проводников и зазоров
порядка 200 - 250 мкм (при толщине проводников 50 мкм).
Для получения логических слоев с металлизированными переходами с более
плотным печатным монтажом с шириной проводников 150 мкм и 125 мкм
рекомендуется технологический процесс по субтрактивной технологии травлением
по металлорезисту (3-й вариант субтрактивной технологии) с использованием
диэлектрика типа СПТА-5 с тонкомерной фольгой толщиной 5-9 мкм.
В этом случае предварительная металлизация стенок отверстий и
поверхности фольги заготовок диэлектрика производится на минимально
возможную толщину 8-10 мкм.
При применении в качестве металлорезиста никеля сложность процесса в
том, что слой никеля остается на поверхности проводника и несколько шире его
медной части. Поэтому применение в качестве металлорезиста сплава олово-
свинец с последующим его удалением (или оплавлением) является более
технологичным процессом.
Заготовки фольгированного
диэлектрика с просверленными
отверстиями
Химическая и предварительная
электрохимическая металлизация всей
поверхности и стенок отверстий
Наслаивание пленочного фоторезиста
Получение защитного рисунка в СПФ
(экспонирование, проявление)
Травление медной фольги в окнах
СПФ
Удаление защитного рисунках СПФ
Рис.5. Изготовление ПП методомТентингс использованием СПФ.
гальванически осажденным на поверхности фольги медным слоем. При травлении
медных слоев толщиной 70 мкм заужение проводника за счет бокового
подтравливания по отношению к размерам на фотошаблоне составляет 50 мкм.
Разброс значений ширины проводников составляет примерно ±15-50 мкм.
Минимальная устойчиво воспроизводимая ширина зазора в СПФ-2 толщиной 60
мкм - 180 - 200 мкм.
      Из сказанного следует, что рассматриваемая технология имеет ограничения
по разрешению, т.е. минимально воспроизводимая ширина проводников и зазоров
порядка 200 - 250 мкм (при толщине проводников 50 мкм).
      Для получения логических слоев с металлизированными переходами с более
плотным печатным монтажом с шириной проводников 150 мкм и 125 мкм
рекомендуется технологический процесс по субтрактивной технологии травлением
по металлорезисту (3-й вариант субтрактивной технологии) с использованием
диэлектрика типа СПТА-5 с тонкомерной фольгой толщиной 5-9 мкм.
      В этом случае предварительная металлизация стенок отверстий и
поверхности фольги заготовок диэлектрика производится на минимально
возможную толщину 8-10 мкм.
      При применении в качестве металлорезиста никеля сложность процесса в
том, что слой никеля остается на поверхности проводника и несколько шире его
медной части. Поэтому применение в качестве металлорезиста сплава олово-
свинец с последующим его удалением (или оплавлением) является более
технологичным процессом.
                                             Заготовки фольгированного
                                           диэлектрика с просверленными
                                                    отверстиями

                                         Химическая и предварительная
                                      электрохимическая металлизация всей
                                         поверхности и стенок отверстий


                                       Наслаивание пленочного фоторезиста



                                       Получение защитного рисунка в СПФ
                                          (экспонирование, проявление)



                                          Травление медной фольги в окнах
                                                       СПФ



                                          Удаление защитного рисунках СПФ

      Рис.5. Изготовление ПП методом “Тентинг” с использованием СПФ.

                                     11