Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 32 стр.

                         Лабораторная работа 3
   Изучение элементной базы, топологии и конструкции
     гибридных и полупроводниковых интегральных
                      микросхем
       Цель работы
    1. Изучить конструкции и топологии гибридных интегральных микросхем
       (ГИС) по заданию преподавателя.
    2. Изучить конструкцию полупроводниковых ИМС по заданному варианту.
    3. Изучить топологию и зарисовать эскизы элементов полупроводниковых
       ИМС по заданному варианту.
    4. Произвести оптические измерения топологических размеров элементов и
       нанести их на эскизы топологии.
       Теоретические сведения
                     Термины и определения ( ГОСТ 17021-88 )
       Микросхема - микроэлектронное устройство, рассматриваемое как единое
изделие, имеющее высокую плотность расположения элементов и (или)
компонентов.
       Интегральная микросхема (ИМС) - микросхема, все или часть элементов
которой нераздельно связаны и электрически связаны между собой так, что
устройство рассматривается как единое целое.
       Полупроводниковая интегральная микросхема - микросхема, все элементы и
межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности
полупроводника.
       Кристалл интегральной микросхемы - часть полупроводниковой пластины, в
объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой
микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки.
       Элемент интегральной микросхемы - часть микросхемы, реализующая
функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая выполнена нераздельно от
кристалла и не может быть выделена как самостоятельное изделие. К
электрорадиоэлементам относят резисторы, конденсаторы, диоды, транзисторы и
т.д.
       Компонент интегральной микросхемы - часть ИМС, реализующая функцию
какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как
самостоятельное изделие; так в полупроводниковой ИМС транзистор является
элементом, а в гибридной ИМС - компонентом.
       Пленочная интегральная микросхема - интегральная микросхема, элементы
которой выполнены в виде пленок. Пленочные ИМС могут быть тонкопленочными
и толстопленочными.
       Тонкопленочная интегральная микросхема - пленочная ИМС с толщиной
пленок до 10-6 м. Элементы тонкопленочной ИМС наносятся преимущественно
методами термовакуумного осаждения и катодного распыления.
       Толстопленочная интегральная микросхема - пленочная ИМС с толщиной
пленок свыше 10-6 м. Элементы толстопленочной интегральной микросхемы
наносятся на подложку методами трафаретной печати (толстопленочной
технологии) путем продавливания паст (проводящих, диэлектрических,
резистивных) через специальный сетчатый трафарет. Нанесенные на подложку

                                     32