Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 33 стр.

пасты высушиваются, а затем вжигаются в подложку.
      Гибридная интегральная микросхема - интегральная микросхема,
содержащая кроме элементов, компоненты и (или) кристаллы. Кристалл - часть
полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности, которой сформированы
все элементы полупроводниковой интегральной микросхемы.
      Корпус интегральной микросхемы - часть конструкции ИМС,
предназначенная для защиты от внешних воздействий и для соединения с
внешними электрическими цепями с помощью выводов.
      Подложка интегральной микросхемы - заготовка, предназначенная для
нанесения на нее элементов гибридных и пленочных ИМС, межэлементных и (или)
межкомпонентных соединений, а также контактных площадок.
      Плата интегральной микросхемы - часть подложки (подложка) гибридной
(пленочной) ИМС, на поверхности которой сформированы все пленочные
элементы, соединения и контактные площадки.
      Полупроводниковая пластина - заготовка из полупроводникового материала,
используемая для изготовления полупроводниковых ИМС.
      Контактная площадка - металлизированный участок на плате, служащий
для соединения выводов элементов, компонентов, кристаллов, перемычек, а также
для контроля электрических параметров и режимов функционирования.
      Бескорпусная интегральная микросхема - кристалл полупроводниковой
ИМС, предназначенный для монтажа в гибридную интегральную схему.
      Микросборка - микросхема, состоящая из различных элементов и (или)
интегральных микросхем, которые имеют отдельное конструктивное оформление и
могут быть испытаны до сборки и монтажа в изделие.
      Примечание. Элемент микросборки имеет внешние выводы, корпус, и
рассматривается как отдельное изделие.
      Тип микросхемы - микросхема конкретного функционального назначения и
имеющая свое условное обозначение.
      Типономинал микросхемы - микросхема конкретного типа, отличающаяся от
других ИМС одним или несколькими параметрами.
                          Параметры интегральных микросхем
      Степень интеграции интегральной микросхемы «К» – это показатель
степени сложности ИМС в зависимости от числа в ней элементов и (или)
компонентов:
              К = lg N, где: N - количество элементов и компонентов ИМС.
      По степени интеграции микросхемы разделяют на:
•     малые интегральные схемы (МИС) - схемы со значением К от 1 до 2;
•     большие интегральные схемы (БИС) - схемы со значением К от 3 до 4;
•     сверхбольшие интегральные схемы (СБИС) - схемы со значением К от 5 и
выше.
      Интегральная плотность микросхемы ω - характеризуется числом
элементов и компонентов, приходящихся на единицу площади ИМС (с учетом
корпуса, но без выводов): ω=N/S, где S - площадь микросхемы с учетом корпуса.
      Для бескорпусных ИС вводится понятие интегральная плотность на
подложке (кристалле): ω'=N/S', где S' – площадь подложки (кристалла) ИС.
Параметры ω и ω' наиболее часто применяется для ГИС.
      Плотность упаковки КV определяют по формуле:
                 КV = N/V, где V - объем микросхемы без учета выводов.

                                     33