Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 35 стр.

•     Температурные коэффициенты линейного расширения подложки и пленок
должны быть предельно согласованы.
•     Химическая инертность к осаждаемым веществам и травителям.
•     Физическая и химическая стойкость при нагреве до высоких температур.
•     Незначительное газовыделение в вакууме.
•     Хорошая адгезия с осаждаемой пленкой.
•     Высокий коэффициент теплопроводности.
•     Хорошая полируемость.
•     Низкая стоимость.
      В полной мере перечисленным требованиям не удовлетворяет ни одна
подложка.
      Некоторые требования находятся в противоречии друг к другу, например,
низкая стоимость и чистота обработки поверхности подложки, поэтому выбор
подложки основан на компромиссном решении.
      Характеристика полупроводниковых пластин
      Полупроводниковая пластина, являясь частью конструкции микросхемы,
выполняет функции механического основания и теплоотвода.
      К полупроводниковым пластинам предъявляются следующие требования:
•     стойкость к химическому воздействию окружающей среды;
•     монокристаллическая структура;
•     однородность     распределения   легирующих      примесей    в   объеме
монокристалла;
•     устойчивость к химическим реагентам;
•     механическая прочность;
•     термостойкость;
•     устойчивость к старению и долговечность.
      Подробнее о материалах, применяемых в качестве подложек интегральных
микросхем можно ознакомится в описании к лабораторной работе “Материалы для
полупроводниковых интегральных гибридных микросхем”.
          Конструкция и топология элементной базы полупроводниковых ИМС
      Основными пассивными элементами ГИС являются пленочные резисторы,
конденсаторы, спирали индуктивностей, проводники и контактные площадки. К
элементам полупроводниковых ИМС относят: резистор, конденсатор, диод,
биполярный транзистор, полевой транзистор (МОП или МДП) и некоторые другие.
Кроме этого, при проектировании полупроводниковых ИМС применяют
вспомогательные элементы: диффузионные перемычки, контактные площадки и
фигуры совмещения (будут рассмотрены далее).
      Резисторы.
      На рис. 1 приведены типичные конструкции резисторов. Наиболее
распространены резисторы прямоугольной формы как самые простые в
изготовлении.
      Тонкопленочные резисторы с большим номинальным сопротивлением
изготавливают в виде меандра или составных полосок в зависимости от метода
формирования конфигураций элементов. Наиболее простые по форме -
толстопленочные резисторы, но они в процессе изготовления для получения
заданной точности требуют лазерной подгонки. Они формируются в последнюю
очередь и располагаются поверх контактных площадок в отличие от
тонкопленочных резисторов.

                                     35