Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 34 стр.

      Из последнего выражения видно, что плотность упаковки бескорпусных
микросхем будет значительно выше. Данный параметр применяется только для
полупроводниковых ГИС.
                     Классификация и система обозначений микросхем
      Интегральные микросхемы (ИМС) являются элементной базой для
разработки радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) различного назначения:
цифровой, аналоговой, и др. Для изготовления РЭА необходимы не отдельные
микросхемы, а функционально полные системы (серии) микросхем.
      Серия интегральных микросхем - совокупность интегральных микросхем,
выполняющих различные функции, имеющих единую конструктивно-
технологичнескую основу и предназначенных для совместного применения в
радиоэлектронной аппаратуре.
      Условное обозначение ИМС состоит из пяти элементов.
      Первый элемент - цифра, обозначающая группу микросхем по
конструктивно- технологическому исполнению. По этому признаку ИМС
подразделяются на три группы, которые обозначаются: полупроводниковые -1,5, 7;
гибридные - 2, 4, 6, 8; прочие (пленочные, керамические, вакуумные и др.) - 3.
      Второй элемент - две цифры, обозначающие порядковый номер разработки
(регистрации) данной серии.
      Примечание. Первый и второй элемент (три или четыре цифры) обозначают
серию ИМС. Для микропроцессорных ИМС могут быть 4 цифры.
      Третий элемент - две буквы, обозначающие подгруппу и вид по
функциональному назначению. По характеру выполнения электрических функций
микросхемы подразделяются на подгруппы и виды.
      Четвертый элемент - цифра, обозначающая порядковый номер разработки
микросхемы по функциональному признаку в данной серии.
      Пятый элемент - буква, обозначающая отличие по какому-либо параметру
одинаковых микросхем (например, по номиналу источника питания).
      Если микросхемы выпускают для широкого применения, в их условное
обозначение добавляется индекс "К", который ставится в самом начале условного
обозначения. Например, гибридная ИМС общего назначения 224 серии,
выполняющая функции усилителя низкой частоты, обозначается К224УН1;
полупроводниковая ИМС общего назначения 506 серии, выполняющая логические
функции И-ИЛИ-НЕ, обозначается К506ЛР2А (при источнике питания 6 В) и
К506ЛР2Б (при источнике питания 12 В).
      По обозначению, принятому до введения ГОСТ 17021-75, второй и третий
элементы взаимно переставлены. При этом серию образуют первый и третий
элементы. Значения и места остальных элементов сохраняются прежними.
Например, гибридная микросхема 204 серии обозначается 2ТК041.
                                      Подложки ГИС
      Для тонкопленочных ИМС наиболее широкое распространение получили
ситалл и поликор, а также металлические подложки с изолирующим покрытием,
гибкие подложки из полимерных материалов. Для толстопленочных схем наиболее
часто применяют керамические подложки.
      Требования к подложкам:
•     Высокая механическая прочность при малых толщинах.
•     Высокие       объемное      и   поверхностное    удельное    электрическое
сопротивление и малый тангенс угла диэлектрических потерь.

                                       34