Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 67 стр.

затрудняет процесс совмещения. Фотошаблоны, покрытие слоями блестящего
хрома, непригодны для использования в системах автоматического совмещения,
т.к. большой коэффициент отражения делает изображение метки совмещения
трудно локализуемым.
       Вторым ограничением хромовых маскирующих покрытий в настоящее время
является все еще сравнительно большой уровень дефектности. В однослойных
пленках Сr, полученных методом термического испарения в вакууме, вследствие
нестабильных условий конденсации и роста пленок часто наблюдается довольно
высокая плотность сквозных микропроколов (порядка 2-20 см-2).
       Проколы, связанные с состоянием подложки, могут быть вызваны
следующими причинами:
       1. Пылинками, осколками стекла, частицами металлов и абразивов и другими
инородными частицами на стеклянной подложке.
       2. Неоднородностями состава и дефектами поверхности стекла.
       3. Локальными загрязнениями стекла в виде клеевых смол, жироподобных
веществ, адсорбированных из органических растворителей или окружающей среды
и т.п.
       Практически бездефектные пленки Сr можно получить, если "залечивать"
проколы, возникающие в первом слое хрома, напылением по всей поверхности
второго слоя, т.к. вероятность совпадения проколов очень мала. Однако, в этом
случае возрастает толщина слоя (до 150-300 нм) и на границе раздела возникает
переходный слой, ухудшающий характеристики травления и воспроизводимость
свойств пленки по всей поверхности. В результате этого разрешающая способность
пленок ухудшается до 2-3 мкм.
       Третьим недостатком как эмульсионных так и хромовых маскирующих
покрытий является их непрозрачность в видимом диапазоне спектра, вследствие
чего в случае использования темнопольных фотошаблонов невозможно визуальное
наблюдение элементов структуры на пластине. Это значительно затрудняет
непосредственное совмещение фотошаблона с рисунком на пластине. Между тем
за последние года в электронной промышленности значительно расширилось
применение позитивных фоторезистов, требующих применения именно
темнопольных фотошаблонов.
       Это ограничение непрозрачных маскирующих покрытий можно уменьшить,
если использовать материалы с характеристикой пропускания, близкой к
характеристике, показанной на рисунке 6.
       Такие маскирующие покрытия называют полупрозрачными или
транспарентными. Основным требованием к транспарентным покрытиям является
почти полное поглощение света в области спектра ниже 436 нм (желательно
пропускание менее 1%) и значительное пропускание в той области спектра, в
которой можно визуально проводить операцию совмещения (например,
пропускание порядка прозрачных, 30% на длине волны 589 нм). Для изготовления
таких шаблонов в основном используются пленки на основе диэлектрических
слоев окислов металлов, взаимодействие которых с квантами света имеют ярко
выраженный резонансный характер. Учитывая это, можно подобрать окислы с
такими входящими в их состав ионами, которые бы сильно поглощали в области
чувствительности фоторезистов (320-436 нм) и имели бы слабое взаимодействие со
светом видимого диапазона длин волн.
       Наиболее широко в настоящее время используют пленки Fe2O3;

                                      67