ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
191
Вторая стадия – «разгонка» – проводится с целью получения заданного
профиля в полупроводнике. На этой стадии под действием температуры диф-
фузия происходит вглубь материала. Для выравнивания наружный слой обед-
няют путем выращивания на поверхности окисла, в который переходит часть
примеси.
Для выполнения диффузии применяются диффузионные системы, в состав
которых входят: печь резистивного нагрева
, система подачи газов, система
управления тепловым режимом, система загрузки и выгрузки, устройства пыле-
защиты и вытяжки.
Диффузионная печь представляет собой (см. рис. 21.1) цилиндрическую
камеру (1), футерованную огнеупорным материалом, в которой размещен квар-
цевый реактор (2). Вокруг реактора располагается три секции нагревателя (3).
Питание их независимо, а нагрев обеспечивается усилителями мощности (4)
(исполнительные устройства).
7
13
4
44
8
9
10
666
термопары
1
333
5
2
14
12
Рис. 21.1.
В реактор помещают лодочку (5) с пластинами полупроводника. Стабили-
зация температурного режима печи обеспечивается регуляторами (6). измере-
ние температуры производится высококачественными термопарами. Регулиро-
вание в торцевых зонах производится с целью выравнивания температуры по
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 189
- 190
- 191
- 192
- 193
- …
- следующая ›
- последняя »
