Физико-химические основы технологии электронных средств. Смирнов В.И. - 72 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

72
4. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ
ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Тонкие
пленки
широко
используются
в
полупроводниковых
и
гибридных
интегральных
микросхемах
для
создания
проводящих
дорожек
и
контактных
площадок
,
резисторов
,
конденсаторов
и
так
далее
.
При
формировании
пленок
на
поверхности
подложек
очень
важно
обеспечить
воспроизводимость
их
параметров
.
Важно
также
,
чтобы
пленки
обладали
хорошей
адгезией
к
поверхности
подложки
и
имели
бы
с
ней
согласованный
температурный
ко
-
эффициент
линейного
расширения
.
Хорошую
воспроизводимость
параметров
тонких
пленок
дает
метод
тер
-
мовакуумного
испарения
и
группа
методов
ионно
-
плазменного
распыления
.
Термовакуумный
метод
получения
тонких
пленок
основан
на
нагреве
в
вакууме
вещества
до
его
активного
испарения
и
конденсации
испаренных
атомов
на
поверхности
подложки
.
Все
разновидности
ионно
-
плазменных
методов
ос
-
нованы
на
создании
в
газоразрядной
камере
ионов
,
ускорении
их
электрическим
полем
и
бомбардировке
мишени
из
нужного
материала
.
Рас
-
пыленные
атомы
мишени
,
осаждаясь
на
поверхности
подложки
,
образуют
пленку
.
Каждый
из
этих
методов
имеет
свои
достоинства
и
недостатки
.
Рас
-
смотрим
более
подробно
первый
метод
.
4.1. Термовакуумное напыление тонких пленок
Сущность метода термовакуумного напыления
Сущность
метода
термовакуумного
напыления
можно
пояснить
с
помощью
упрощенной
схемы
установки
,
представленной
на
рис
. 4.1.
Вещест
-
во
,
подлежащее
напылению
,
помещают
в
устройство
нагрева
(
испаритель
) 1,
где
оно
при
достаточно
высокой
температуре
интенсивно
испаряется
.
В
вакуу
-
ме
,
который
создается
внутри
камеры
специальными
насосами
,
молекулы
испа
-
ренного
вещества
свободно
и
быстро
распростра
-
няются
в
окружающее
пространство
,
достигая
,
в
частности
,
поверхности
подложки
2.
Если
тем
-
пература
подложки
не
превышает
критического
значения
,
происходит
конденсация
вещества
на
подложке
,
то
есть
рост
пленки
.
На
начальном
эта
-
пе
испарения
во
избежание
загрязнения
пленки
за
счет
примесей
,
адсорбированных
поверхностью
испаряемого
вещества
,
а
также
для
вывода
испа
-
рителя
на
рабочую
температуру
используется
за
-
слонка
4,
временно
перекрывающая
поток
вещест
-
ва
на
подложку
.
В
зависимости
от
функциональ
-
ного
назначения
пленки
в
процессе
осаждения
контролируется
время
напыления
,
толщина
,
элек
-
Рис.
4.1. Схема установки
термовакуумного напыления

Страницы