Физико-химические основы технологии электронных средств. Смирнов В.И. - 73 стр.

UptoLike

Составители: 

73
трическое
сопротивления
или
какой
-
либо
другой
параметр
.
По
достижении
за
-
данного
значения
параметра
заслонка
вновь
перекрывает
поток
вещества
и
процесс
роста
пленки
прекращается
.
Нагрев
подложки
с
помощью
нагревателя
3
перед
напылением
способствует
десорбции
адсорбированных
на
ее
поверхно
-
сти
атомов
,
а
в
процессе
осаждения
создает
условия
для
улучшения
структуры
растущей
пленки
.
Непрерывно
работающая
система
откачки
поддерживает
ва
-
куум
порядка
10
-4
Па
.
Разогрев
испаряемого
вещества
до
температур
,
при
которых
оно
интен
-
сивно
испаряется
,
осуществляют
электронным
или
лазерным
лучом
,
СВЧ
-
излучением
,
с
помощью
резистивных
подогревателей
(
путем
непосредственно
-
го
пропускания
электрического
тока
через
образец
из
нужного
вещества
или
теплопередачей
от
нагретой
спирали
).
В
целом
метод
отличается
большим
раз
-
нообразием
как
по
способам
разогрева
испаряемого
вещества
,
так
и
по
конст
-
рукциям
испарителей
.
Если
требуется
получить
пленку
из
многокомпонентного
вещества
,
то
используют
несколько
испарителей
.
Поскольку
скорости
испарения
у
различных
компонентов
разные
,
то
обеспечить
воспроизводимость
химиче
-
ского
состава
получаемых
многокомпонентных
пленок
довольно
сложно
.
По
-
этому
метод
термовакуумного
напыления
используют
в
основном
для
чистых
металлов
.
Термодинамика и кинетика процессов испарения
Весь
процесс
термовакуумного
напыления
можно
разбить
на
три
стадии
:
испарение
атомов
вещества
,
перенос
их
к
подложке
и
конденсация
.
Испарение
вещества
с
поверхности
имеет
место
,
вообще
говоря
,
при
любой
температуре
,
отличной
от
абсолютного
нуля
.
Если
допустить
,
что
процесс
испарения
моле
-
кул
(
атомов
)
вещества
протекает
в
камере
,
стенки
которой
достаточно
сильно
нагреты
и
не
конденсируют
пар
(
отражают
молекулы
),
то
процесс
испарения
становится
равновесным
,
то
есть
число
молекул
,
покидающих
поверхность
ве
-
щества
,
равно
числу
молекул
,
возвращающихся
в
вещество
.
Давление
пара
,
со
-
ответствующее
равновесному
состоянию
системы
,
называется
давлением
на
-
сыщенного
пара
,
или
его
упругостью
.
Скорость
испарения
молекул
V
и
определяется
их
количеством
,
покидаю
-
щим
единицу
поверхности
вещества
в
единицу
времени
.
Для
вакуума
она
опре
-
деляется
уравнением
Герца
-
Кнудсена
где
р
и
и
р
к
давления
насыщенного
пара
при
температуре
испарения
и
конденсации
соответственно
; m –
масса
молекулы
; k –
постоянная
Больцмана
;
Т
температура
испарения
; α −
коэффициент
испарения
(
для
многих
веществ
он
не
сильно
отличается
от
единицы
).
(
)
(4.1) ,
mkT2
к
p
и
p
α
и
V
π
=