Неразрушающие методы контроля параметров полупроводниковых материалов и структур. Смирнов В.И. - 13 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

собой четвертьволновую пластину, которая из эллиптически-

поляризованного света делает его плоскополяризованным. Анализатор

пропускает только такой свет, у которого плоскость поляризации парал-

лельна плоскости анализатора. Измерение поляризационных углов Ψ и Δ

осуществляется поворотом поляризатора, анализатора и компенсатора до

полного гашения света, поступающего на фотоприемник.

Рис. 1.5. Схема эллипсометра: 1 – источник света; 2 – коллиматор; 3 – монохроматор;

4 – поляризатор; 5 – компенсатор; 6 – анализатор; 7 – фотоприемник

Возможности эллипсометров существенно расширяются, если в ка-

честве источника излучения использовать лазеры. Так, например, исполь-

зование лазера, излучающего в инфракрасном диапазоне на длине волны

10,6 мкм, позволило расширить диапазон измерения толщины эпитакси-

альных слоев кремния до 1,6 мкм с погрешностью на уровне 0,01 мкм.

Кроме того, лазерная эллипсометрия позволяет решать такие задачи,

как

бесконтактное измерение концентрации и подвижности свободных носи-

телей заряда в полупроводнике, контроль адгезии и адсорбции и т. д.

Контрольные вопросы

1. Какие задачи можно решать с помощью оптического микроскопа?

Что такое числовая апертура, разрешающая способность и глубина

резкости микроскопа?

Для чего предназначена призма Волластона в микроинтерферометре

Номарски?

Для решения каких задач предназначен микроинтерферометр Май-

кельсона?

Какую функцию выполняет компенсационная пластина в микроин-

терферометре Майкельсона?

Каким образом определяется толщина оксидного слоя на поверхно-

сти кремниевой пластины с помощью интерферометрических методов?

В чем суть эллипсометрического метода?

Какие электрофизические параметры полупроводниковой пластины

можно определить с помощью эллипсометра?

Какую функцию в эллипсометре выполняет компенсатор?