Неразрушающие методы контроля параметров полупроводниковых материалов и структур. Смирнов В.И. - 14 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

14
2. РЕНТГЕНОВСКИЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА
2.1. Рентгеновская теневая микроскопия
Рентгеновские микроскопы предназначены для осуществления не-
разрушающего контроля с целью обнаружения скрытых дефектов и полу-
чения увеличенного изображения объекта путем просвечивания его рент-
геновскими лучами и наблюдения теневого изображения на экране или фо-
тографии. Вследствие большой проникающей способности рентгеновских
лучей дефекты можно регистрировать даже у относительно толстых объек-
тов, например, для
объектов из алюминия – до 30 мм, из стали – до 2 мм.
С помощью рентгеновского микроскопа можно обнаруживать следующие
дефекты:
- внутренние дефекты корпуса полупроводниковых приборов и мик-
росхем (поры, трещины, посторонние включения);
- пустоты или полости в паянном соединении кристалла с основани-
ем корпуса;
- обрывы проводников внутри корпуса;
- дефекты монтажа навесных элементов
в гибридных микросхемах и т. д.
По способу регистрации информации рентгеновские теневые методы
делятся на рентгенографические, рентгеноскопические, рентгеностробо-
скопические и рентгенотелевизионные. В рентгеноскопических микроско-
пах изображение регистрируется на специальной рентгеночувствительной
пленке или пластине, в рентгеноскопических – на флюоресцентном экране.
В рентгеностробоскопических микроскопах теневая картина фиксируется с
помощью стробоскопического эффекта. Это позволяет
наблюдать «пове-
дение» объекта при вибрации или других видах движения, позволяет обна-
руживать и оценивать резонансные характеристики элементов конструк-
ции непрозрачных корпусов, выявлять узлы конструкции интегральных
микросхем с недостаточным или излишне жесткими связями, определять
пределы прочности конструкции в условиях вибрации. Рентгенотелевизи-
онная микроскопия основана на том, что теневое изображение попадает на
мишень рентгеночувствительного видикона, а для наблюдения получаемо-
го изображения используется телевизионная система, что обеспечивает
высокую производительность и оперативность контроля.
Схема рентгенотелевизионного микроскопа представлена на рис. 2.1.
В колонне, где создан высокий вакуум, формируется пучок ускоренных
электронов, направляемых на мишень. Источником электронов является
специальный катод, испускающий электроны либо в результате термо-
эмиссии
, либо в результате холодной эмиссия (эмиссии за счет внешнего
электрического поля). Рентгеновское излучение формируется при тормо-
жении ускоренных электронов мишенью и выводится наружу через окно
из бериллия, который слабо поглощает электромагнитное излучение в

Страницы