Неразрушающие методы контроля параметров полупроводниковых материалов и структур. Смирнов В.И. - 15 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

рентгеновском диапазоне. Пройдя через объект, например, интегральную

микросхему, оно попадает на рентгеновский видикон и формирует в пере-

дающей камере теневое изображение объекта, которое затем передается на

монитор видеоконтрольного устройства.

Рис. 2.1. Схема рентгеновского телевизионного микроскопа

Увеличение достигается за счет телевизионного тракта, определяе-

мого отношением размеров растра монитора и видикона, а также за счет

проекционного увеличения в расходящемся рентгеновском пучке. Основ-

ные характеристики рентгеновских микроскопов: увеличение от 20 до 500;

разрешающая способность на уровне 5 нм; контрастная чувствительность

порядка 2-3%.

2.2. Рентгеновская томография

Недостатком рентгеновской теневой микроскопии является следую-

щее. Если внутренний дефект имеет сложную форму или имеется несколь-

ко, маскируемых друг друга дефектов (рис. 2.2, а), то различить их и точно

определить их размеры и форму становится проблематично. Так, напри-

мер, при контроле проводников внутри корпуса гибридной микросхемы

обнаружить их обрыв практически невозможно,

даже если количество

проводников составляет единицы.

Решение подобных задач эффективно решается с помощью рентге-

новской томографии, суть которой заключается в следующем. Пусть узкий

пучок параллельных рентгеновских лучей проходит через образец, кото-

рый можно поворачивать относительно пучка на любой угол вокруг осей x,

y и z (рис. 2.2, б). Интенсивность излучения I(В) в точке, где

установлен де-