ВУЗ:
Составители:
52
5. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ
5.1. Методы измерения удельного сопротивления полупроводников
При исследовании электрических свойств полупроводников и произ-
водстве полупроводниковых приборов возникает необходимость измере-
ния удельного сопротивления образцов в виде монокристаллических слит-
ков или полупроводниковых пластин, содержащих диффузионные, эпитак-
сиальные или ионно-легированные слои. Наиболее часто для решения этой
задачи используют
четырехзондовый метод, а также метод Ван-дер-Пау и
метод сопротивления растекания точечного контакта.
5.1.1. Четырехзондовый метод
Суть четырехзондового метода заключается в следующем. Пусть с
полупроводниковым образцом контактирует зонд, через который протека-
ет ток I (рис. 5.1, а). Будем считать, что размеры образца много больше ра-
диуса зонда в точке контакта, а материал образца является изотропным.
В этом случае ток в образце будет растекаться равномерно по всем направ-
лениям и плотность тока j в любой точке на
поверхности сферы радиуса r
будет равна
(5.1) .
r2
I
j
2
С другой стороны на основании закона Ома плотность тока равна
(5.2) ,
dr
d1
E
1
j
где ρ – удельное сопротивление образца, Е и φ – напряженность и потен-
циал электрического поля в образце. Подставив (5.1) в (5.2) и проинтегри-
ровав с учетом того, что φ → 0 при r → ∞, можно найти распределение по-
тенциала по образцу:
Рис. 5.1. Четырехзондовый метод измерения удельного сопротивления:
а) одиночный зонд; б) схема измерения с четырьмя зондами
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 50
- 51
- 52
- 53
- 54
- …
- следующая ›
- последняя »
