ВУЗ:
Составители:
53
(5.3) .
r
2
I
r)(
Напряжение U
AB
между двумя произвольно выбранными точками А
и В согласно (5.3) будет равно
,
r
1
r
1
2
I
U
BA
AÂ
где r
A
и r
B
– расстояние от места контакта до точек А и В – соответственно.
В четырехзондовом методе, измерительная схема которого приведе-
на на рис. 5.1, б, используются 4 зонда, расположенные обычно в линию.
Если через токовые зонды 1 и 4 втекает и вытекает ток, то напряжение U
на потенциальных зондах 2 и 3 будет равно
.
ss
1
ss
1
s
1
s
1
2
I
U
213231
Обычно расстояние между зондами одинаково и равно s. Тогда напряже-
ние между потенциальными зондами будет равно
.
s2
I
U
Отсюда удельное сопротивление образца будет определяться выражением:
(5.4) .
I
sU2
Выражение (5.4) справедливо для полубесконечных образцов, разме-
ры которых существенно превышают расстояние между зондами. Поэтому
оно применяется в основном для измерения удельного сопротивления по-
лупроводниковых слитков. Для полупроводниковых пластин, толщина h
которых меньше расстояния s между зондами (h < 0.4 s), зависимость по-
тенциала φ от расстояния r имеет вид:
.constr ln
h2
I
(r)
Для измерительной схемы из четырех зондов в линию с расстоянием
s между зондами (рис.5.1б) напряжение между потенциальными зондами
будет равно
2. ln
h
I
U
Удельное сопротивление тонкой полупроводниковой пластины будет оп-
ределяться выражением:
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 51
- 52
- 53
- 54
- 55
- …
- следующая ›
- последняя »
