ВУЗ:
Составители:
55
Полученные значения R
1
и R
2
позволяют рассчитать удельное сопротивле-
ние образца по формуле:
,
R
R
f
2
RR
2ln
h
2
121
где поправочная функция f, зависящая от отношения R
1
к R
2
, находится из
уравнения
.
2
1
f
2ln
1
2
R
1
R
1
2
R
1
R
ch
f
2ln
exp
График поправочной функции представлен на рис. 5.2, б. В специ-
альной литературе имеются подробные таблицы ее значений. Метод Ван-
дер-Пау особенно удобен для измерения удельного сопротивления образ-
цов, имеющих круглую или квадратную форму. В этом случае зонды раз-
мещают симметрично по периметру, в результате чего R
1
= R
2
и поправоч-
ная функция f =1. Удельное сопротивление в этом случае определяется по
формуле:
I
U
2ln
h
При этом, учитывая симметрию задачи, для определения ρ достаточно од-
ного измерения тока и напряжения.
Следует отметить достаточно высокую точность метода при условии
качественного формирования контакта. Контакт должен быть «точечным»
и строго на боковой поверхности. Недостатком метода является то, что он
позволяет определить усредненное по всей
поверхности образца удельное
сопротивление. Если требуется измерить распределение величины ρ по по-
верхности образца, то обычно используют метод сопротивления растека-
ния точечного контакта.
5.1.3. Метод сопротивления растекания точечного контакта
Метод основан на измерении сопротивления структуры, состоящей
из полупроводникового образца и металлического зонда, установленного
на его плоской поверхности (рис. 5.3, а). Если металлический зонд имеет с
поверхностью полупроводника омический контакт малой площади, то со-
противление структуры, измеряемое при пропускании тока через этот кон-
такт, называется сопротивлением растекания. При этом предполагается,
что
второй контакт к полупроводнику представляет собой контакт боль-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 53
- 54
- 55
- 56
- 57
- …
- следующая ›
- последняя »
