ВУЗ:
Составители:
73
Контрольные вопросы
1.
Какие существуют методы измерения удельного сопротивления
полупроводников?
2.
В чем суть четырехзондового метода и чем он отличается для тол-
стых и тонких образцов?
3.
Каким образом учитываются поправки в четырехзондовом методе,
обусловленные конечными размерами образца?
4.
В чем суть метода Ван-дер-Пау?
5.
В чем суть метода сопротивления растекания точечного контакта и
в чем его преимущество перед четырехзондовым методом?
6.
Что такое эффект Холла и какие параметры полупроводника можно
измерить на основе этого эффекта?
7.
Что такое Холл-фактор и как он зависят от механизма рассеяния
носителей заряда в полупроводнике?
8.
Какие параметры полупроводниковых структур можно измерить с
помощью вольт-фарадных методов?
9.
Каким образом барьерная емкость р-n перехода зависит от обрат-
ного смещения для резкого и плавного переходов?
10.
Как зависит емкость МДП-структуры полупроводника п-типа про-
водимости от приложенного напряжения?
11.
Как влияет частота измерительного сигнала на вольт-фарадную ха-
рактеристику МДП-структуры?
12.
Что такое тепловое сопротивление полупроводникового прибора?
13.
Каким образом можно измерить температуру электронно-
дырочного перехода полупроводникового прибора?
14.
Что такое временной и частотный методы измерения теплового со-
противления?
