ВУЗ:
Рубрика:
Здесь
(
)
r
σσ
=
и равно
ст
σ
внутри стенок резонатора и нулю всюду вне
их. Проводимость образца считаем включенной в комплексную
(
)
r
ε
материала, заполняющего резонатор; в нашем случае
(
)
1=r
µ
. Ограничимся
вначале резонатором без отверстий связи, то есть
(«ненагруженная добротность»).
0
QQQ
отв
≡>>
Рассматривая два состояния резонатора: без образца и с образцом и
нумеруя их индексами 1 и 2 соответственно, из приведенных выше
соотношений можно получить для изменения комплексной резонансной
частоты, как это обычно делается в теории возмущений [2]:
()
∫∫
∫∫
•
•
∗
•
•
∗
•
•
∗
•
•
∗
∗
•
∗
•
∗
+
−−
=−
V
V
ст
V
dvEEdvHH
dvEEidvEE
2
1
1
21
1
2121
122
12
10
42
εµ
πσεεω
ωω
(2,9)
где
∗
―означает комплексно-сопряженное значение.
Далее теория возмущения обычно ограничивается малыми возмущениями
в смысле малых потерь, вносимых в резонатор образцом (т. е.
).
Уравнение (2.9) однако получено без этого ограничения и дает возможность
получить дальнейшие соотношения также в несколько более общем виде. Мы
ограничим требование малости возмущения лишь условием малости искажения
образцом формы распределения поля в резонаторе, но не его амплитуды. Тогда,
считая, что при внесении образца поля меняются только по амплитуде, то есть
0
QQ
M
>>
••
=
12
HkH
и
,
12
••
= EkE
(2.10)
где
― константа, и используя определение ненагруженной добротности :
k
0
1
Q
11
1
0
1
−−
−
+=
Mст
QQQ
, т. е.
∫∫
∫∫
•
•
∗
•
•
∗
•
•
∗
•
•
∗
+
″
+
=
VV
VV
ст
dvEEdvHH
dvEEEE
Q
ст
11
1
11
1
11
11
11
0
1
1
4
2
εµ
εωπσ
ω
(2.11)
получим из (2.9)
() Здесь σ = σ r и равно σ ст внутри стенок резонатора и нулю всюду вне их. Проводимость образца считаем включенной в комплексную εr() материала, заполняющего резонатор; в нашем случае µ r = 1 . Ограничимся () вначале резонатором без отверстий связи, то есть Qотв >> Q ≡ Q 0 («ненагруженная добротность»). Рассматривая два состояния резонатора: без образца и с образцом и нумеруя их индексами 1 и 2 соответственно, из приведенных выше соотношений можно получить для изменения комплексной резонансной частоты, как это обычно делается в теории возмущений [2]: • • • • ω2 (ε 2 − ε )∫ E ∗ ∗ ∗ 1 1 E 2 dv − i2σ ст ∫ E E 2 dv4π 1 • • V0 V1 ω2∗ − ω1∗ = • • • • ∗ ∗ (2,9) µ1 ∫ H H 2 dv + ε1 ∫ E E 2 dv 1 1 V где ―означает комплексно-сопряженное значение. ∗ Далее теория возмущения обычно ограничивается малыми возмущениями в смысле малых потерь, вносимых в резонатор образцом (т. е. QM >> Q 0 ). Уравнение (2.9) однако получено без этого ограничения и дает возможность получить дальнейшие соотношения также в несколько более общем виде. Мы ограничим требование малости возмущения лишь условием малости искажения образцом формы распределения поля в резонаторе, но не его амплитуды. Тогда, считая, что при внесении образца поля меняются только по амплитуде, то есть • • • • H 2 = k H 1 и E 2 = k E1 , (2.10) где k ― константа, и используя определение ненагруженной добротности Q10 : −1 −1 Q10 = Qст + QM−1 , т. е. • • • • ∗ ″ ∗ ω1 4πσ ст Vст ∫E 1 E 1 + ω1ε 1 ∫E V 1 E 1 dv =2 • • Q10 ∗ • ∗ • (2.11) µ1 ∫ H H 1 dv + ε 1 ∫ E E 1 dv 1 1 V V получим из (2.9)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 15
- 16
- 17
- 18
- 19
- …
- следующая ›
- последняя »