ВУЗ:
Рубрика:
Здесь
(
)
r
σσ
=
и равно
ст
σ
внутри стенок резонатора и нулю всюду вне
их. Проводимость образца считаем включенной в комплексную
(
)
r
ε
материала, заполняющего резонатор; в нашем случае
(
)
1=r
µ
. Ограничимся
вначале резонатором без отверстий связи, то есть
(«ненагруженная добротность»).
0
QQQ
отв
≡>>
Рассматривая два состояния резонатора: без образца и с образцом и
нумеруя их индексами 1 и 2 соответственно, из приведенных выше
соотношений можно получить для изменения комплексной резонансной
частоты, как это обычно делается в теории возмущений [2]:
()
∫∫
∫∫
•
•
∗
•
•
∗
•
•
∗
•
•
∗
∗
•
∗
•
∗
+
−−
=−
V
V
ст
V
dvEEdvHH
dvEEidvEE
2
1
1
21
1
2121
122
12
10
42
εµ
πσεεω
ωω
(2,9)
где
∗
―означает комплексно-сопряженное значение.
Далее теория возмущения обычно ограничивается малыми возмущениями
в смысле малых потерь, вносимых в резонатор образцом (т. е.
).
Уравнение (2.9) однако получено без этого ограничения и дает возможность
получить дальнейшие соотношения также в несколько более общем виде. Мы
ограничим требование малости возмущения лишь условием малости искажения
образцом формы распределения поля в резонаторе, но не его амплитуды. Тогда,
считая, что при внесении образца поля меняются только по амплитуде, то есть
0
QQ
M
>>
••
=
12
HkH
и
,
12
••
= EkE
(2.10)
где
― константа, и используя определение ненагруженной добротности :
k
0
1
Q
11
1
0
1
−−
−
+=
Mст
QQQ
, т. е.
∫∫
∫∫
•
•
∗
•
•
∗
•
•
∗
•
•
∗
+
″
+
=
VV
VV
ст
dvEEdvHH
dvEEEE
Q
ст
11
1
11
1
11
11
11
0
1
1
4
2
εµ
εωπσ
ω
(2.11)
получим из (2.9)
()
Здесь σ = σ r и равно σ ст внутри стенок резонатора и нулю всюду вне
их. Проводимость образца считаем включенной в комплексную εr()
материала, заполняющего резонатор; в нашем случае µ r = 1 . Ограничимся ()
вначале резонатором без отверстий связи, то есть Qотв >> Q ≡ Q
0
(«ненагруженная добротность»).
Рассматривая два состояния резонатора: без образца и с образцом и
нумеруя их индексами 1 и 2 соответственно, из приведенных выше
соотношений можно получить для изменения комплексной резонансной
частоты, как это обычно делается в теории возмущений [2]:
• • • •
ω2 (ε 2 − ε )∫ E ∗ ∗
∗
1 1 E 2 dv − i2σ ст ∫ E E 2 dv4π 1
• •
V0 V1
ω2∗ − ω1∗ = • •
• •
∗ ∗ (2,9)
µ1 ∫ H H 2 dv + ε1 ∫ E E 2 dv
1 1
V
где ―означает комплексно-сопряженное значение.
∗
Далее теория возмущения обычно ограничивается малыми возмущениями
в смысле малых потерь, вносимых в резонатор образцом (т. е. QM >> Q 0 ).
Уравнение (2.9) однако получено без этого ограничения и дает возможность
получить дальнейшие соотношения также в несколько более общем виде. Мы
ограничим требование малости возмущения лишь условием малости искажения
образцом формы распределения поля в резонаторе, но не его амплитуды. Тогда,
считая, что при внесении образца поля меняются только по амплитуде, то есть
• • • •
H 2 = k H 1 и E 2 = k E1 , (2.10)
где k ― константа, и используя определение ненагруженной добротности Q10 :
−1
−1
Q10 = Qст + QM−1 , т. е.
• • • •
∗ ″ ∗
ω1
4πσ ст
Vст
∫E 1 E 1 + ω1ε 1 ∫E
V
1 E 1 dv
=2 • •
Q10 ∗
•
∗
• (2.11)
µ1 ∫ H H 1 dv + ε 1 ∫ E E 1 dv
1 1
V V
получим из (2.9)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 15
- 16
- 17
- 18
- 19
- …
- следующая ›
- последняя »
