ВУЗ:
Рубрика:
частном примере, когда проводимость одного из слоев отсутствует
()
0
1
=
σ
.
Тогда формулы (3.1) – (3.4) сильно упрощаются и дают:
(
)
()
2
12
2
1
221
1
2
21
2
2
21211
0
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
=
+
=
+
=
d
d
d
dd
d
d
dd
d
ε
σ
σ
ε
σ
σεσε
ε
(5)
()
2
1221
221
2
1
εε
σε
σ
dd
dd
+
=
∞
,
0
0
=
σ
()
212
2
2
1
1
2
2
21
1221
0
0
CCR
dd
d
d
dd
+=
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
+=
+
=
−
−
=
∞
∞
εε
σσ
εε
σσ
εε
τ
Дисперсия в этом случае является следствием того, что на низкой частоте
производящий слой «закорачивается», и фактическая поверхность электрода
переносится вглубь материала к поверхности раздела слоев, а кажущаяся
диэлектрическая проницаемость материала в целом, рассчитанная по-прежнему
формальному расстоянию между электродами, увеличивается в соответствии с
геометрическим фактором
1
d
d
. На высоких же частотах экранирующий
поверхностный заряд на границе слоев не успевает образоваться, и поле
проникает внутрь проводящего слоя. Частота дисперсии приобретает смысл
обратной постоянной времени зарядки конденсаторов
и через
сопротивления слоя
. Аналогичные представления о поверхностном
характере поляризационного эффекта были использованы Максвеллом и
Вагнером при изучении другого вида гетерогенной системы – взвеси частиц
сферической формы диаметра
с параметрами
1
C
2
C
2
R
d
22
,
ε
σ
в среде с параметрами
11
,
ε
σ
. Такая система также демонстрирует «дебаевский» тип частотной
дисперсии. При малом удельном обьеме включений
)1(
<
<
α
теория дает, в
частности:
,
)(2
)(22
2121
2121
10
σσασσ
σσασσ
σσ
−++
−−+
=
,
)2()2(
)(9
21
2
21
2
2211
σσεε
εσεσ
ασ
++
−
=
∞
(6)
.
)(2
)(2
2121
2121
σσασσ
εεαεε
τ
−++
−++
=
,
где
Nd
3
6
π
α
=
, ―концентрация включений.
N
Однако М-В приближение поверхностного заряда, хорошо
оправдывающееся для макроскопических систем, оказывается неприменимым к
микроскопическим системам. В этом случае диффузия зарядов по области,
частном примере, когда проводимость одного из слоев отсутствует (σ 1 = 0) . Тогда формулы (3.1) – (3.4) сильно упрощаются и дают: ε0 = d ( ) d 1ε 1σ 2 + ε 1σ 22 d 2 = d ε d 1 + d 2σ 2 = ε ⎛ d ⎞ ⎜⎜ ⎟⎟ 2 (5) (d 1σ 2 )2 1 d1 σ 2 2 ⎝ d1 ⎠ ε 12 d1d 2σ 2 σ∞ = , σ0 = 0 (d1ε 2 + d 2ε 1 )2 ε0 − ε∞ d ε + d 2ε 1 d ⎛ε ε ⎞ τ = = 1 2 = 2 ⎜⎜ 1 + 2 ⎟⎟ = R 2 (C 1 + C 2 ) σ∞ −σ0 d 1σ 2 σ 2 ⎝ d1 d2 ⎠ Дисперсия в этом случае является следствием того, что на низкой частоте производящий слой «закорачивается», и фактическая поверхность электрода переносится вглубь материала к поверхности раздела слоев, а кажущаяся диэлектрическая проницаемость материала в целом, рассчитанная по-прежнему формальному расстоянию между электродами, увеличивается в соответствии с d геометрическим фактором d1 . На высоких же частотах экранирующий поверхностный заряд на границе слоев не успевает образоваться, и поле проникает внутрь проводящего слоя. Частота дисперсии приобретает смысл обратной постоянной времени зарядки конденсаторов C1 и C 2 через сопротивления слоя R2 . Аналогичные представления о поверхностном характере поляризационного эффекта были использованы Максвеллом и Вагнером при изучении другого вида гетерогенной системы – взвеси частиц сферической формы диаметра d с параметрами σ 2 , ε 2 в среде с параметрами σ 1 , ε 1 . Такая система также демонстрирует «дебаевский» тип частотной дисперсии. При малом удельном обьеме включений (α << 1) теория дает, в частности: 2σ +σ − 2α (σ 1 − σ 2 ) σ 0 = σ1 1 2 , 2σ 1 + σ 2 + α (σ 1 − σ 2 ) 9(σ 1ε 1 − σ 2 ε 2 ) 2 σ∞ =α , (6) (2ε 1 + ε 2 ) 2 (2σ 1 + σ 2 ) 2 ε 1 + ε 2 + α (ε 1 − ε 2 ) τ = ., 2σ 1 + σ 2 + α (σ 1 − σ 2 ) π 3 где α = d N , N ―концентрация включений. 6 Однако М-В приближение поверхностного заряда, хорошо оправдывающееся для макроскопических систем, оказывается неприменимым к микроскопическим системам. В этом случае диффузия зарядов по области,
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- …
- следующая ›
- последняя »