СВЧ методы исследования электрофизических свойств гетерогенных объектов. - 8 стр.

                ε ''
                     = f 2 ( h , a , t ),                                (14)
                ε2
Где
                                     d 1ε 2
            h = d1χ , a =                   ,                            (15)
                                     d 2ε 1
а― характеризует вклад изолятора ( d1 ― суммарная толщина изолятора, d 2 ―
толщина проводящего слоя), h ― имеет смысл отношения толщины
проводящего слоя к дебаевскому радиусу экранирования χ . Частотная
                                                             −1


зависимость ε ' и ε ' ' в (13) и (14) выражена как функция от безразмерного
параметра t :
                             ωε 2    ωε 2    ω
                  t =              =       =    ,                        (16)
                            4π nqu   4πσ 2   ωM
ω M ― «максвелловская» частота для отрицательных зарядов.
    Вид частотной зависимости ε * практически не отличается от дисперсии,
изображенной на рис. 2 для М-В теории.
    Частота дисперсии, выраженная в единицах t (16), однако отличается от
таковой в М-В теории. В нашем случае плоских слоев для частоты дисперсии
t 0 , электродиффузионная теория дает
                                                               h
                                             ah       + 2 th
                  t        =                       .           2
                      0
                                               h                      (18)
                         ( 1 + a )( h − 2 th     )
                                               2
   Сопоставляя этот результат с выражением для частоты дисперсии в теории
М-В, которая в данных обозначениях может быть записана как
                                               a
                                 t0 =              ,                     (19)
                                              1+ a
можно видеть, что последнее получается из (18) как предельный переход при
h → ∞ . Отметим, что в противоположном пределе h → 0 :
                                              12
                                     t0 =                                (20)
                                              h2
т. е. период релаксации поляризации системы для очень тонкого слоя
определяется лишь диффузией зарядов через толщу проводящего слоя.

Статическое значение       ε ' зависит от h , а следовательно и от n :
                                     ε        + d 2 )
                                             (d
                          ε '=           2        1
                                                        ,                (21)
                                              2     h
                                 d   2   (a +   th    )
                                              h     2