ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
16
может служить поверхность кремния, покрытая слоем двуокиси
кремния. В этом случае начальные и граничные условия
запишутся в виде:
∂N(x, t)/∂x│
x=0
=0 при t≥0, x=0; (1.11)
N(x, 0)=N
s
для t =0, 0≤x≤∆h; (1.12)
N(x, 0)=0 для t=0, x>∆h. (1.13)
В отличие от предыдущего случая здесь диффузия ведется
из ограниченного источника диффузанта. Можно показать, что
это количество P
0
=N
s
∆h, причем в процессе диффузии оно не
меняется , а происходит лишь перераспределение его по объему
тела. Если полагать, что при ∆h→0 количество диффузанта Р
0
в
слое ∆h не меняется (за счет соответствующего роста N
0
), то
решение уравнения диффузии (1.2) с учетом условий (1.11)─
(1.13) запишется так:
N(x, t)=
).
4
exp(
2
0
Dt
x
Dt
P
−
π
(1. 14)
Полученное выражение (1.14) является функцией расп-
ределения Гаусса и отражает распределение примеси при диф-
фузии из бесконечно тонкого слоя. На рис.1.7 приведены кри-
вые этого распределения для нескольких значений
Dt . Здесь
же при t=0 графически показано условие (1.12) для случая
∆h=1мкм.
Для выполнения поставленных условий, как уже упоми-
налось ранее, на первом этапе проводят предварительную
диффузию примеси (загонку) в течение небольшого промежутка
времени. В результате на поверхности полупроводника обра-
зуется тонкий диффузионный слой с очень высокой поверх-
ностной концентрацией, причем
по всей глубине этого слоя
загонки ∆h концентрация должна быть почти равной поверх-
ностной N
s
, чтобы выполнялось условие (1.12). Однако с целью
получения малых значений времени загонки и облегчения
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 14
- 15
- 16
- 17
- 18
- …
- следующая ›
- последняя »
