ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
17
машинного расчета процесса диффузии полагают, что на
границе слоя загонки x=∆h концентрация примеси составляет
0,9N
s
. Распределение концентрации в этом слое описывается
выражением (1.4). Полученный слой приближенно может рас-
сматриваться как бесконечно тонкий слой. Второй этап диффу-
зии (разгонка) производится при нагревании пластин полу-
проводника в окислительной среде. Образующаяся окисная
пленка предохраняет поступление примеси извне и испарение ее
наружу. Это позволяет считать, что процесс диффузии идет в
полуограниченном теле с отражающей границей из ограни-
ченного источника P
0
=N
s
∆h. При этом поступление примеси из
окружающей среды отсутствует и концентрация на границе х=0
с течением времени убывает (см. рис.1.7). Выражение (1.14)
описывает истинное распределение при разгонке тем точнее,
чем тоньше слой, из которого происходит диффузия, а это будет
соблюдаться с увеличением времени разгонки, так как реальный
источник примеси (слой ∆h конечных
размеров, созданный в
приповерхностном слое полупроводника при загонке) посте-
пенно иссякает с течением времени.
1. 2. 6. Расчет распределения примеси при разгонке
Исходные данные: диффундирующая примесь – бор; кон-
центрация доноров в подложке N
0
=2,5·10
15
см
-3
; глубина
разгонки х
р
= 8,5·10
-4
см. ; температура разгонки 1150
0
С.
Определить: время разгонки t
2;
концентрацию примеси на
поверхности кристалла; распределение примеси при разгонке.
Порядок расчёта.
Определим коэффициент диффузии D
2
при температуре
разгонки Т
2
=1150
0
С. Он равен D
2
=1·10
-12
см
2
/с.
Распределение примеси при разгонке можно определить из
выражения
N
p
(x, t)= .
)(4
exp(
2211
2
22
0
tDtD
x
tD
P
p
+
−
π
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 15
- 16
- 17
- 18
- 19
- …
- следующая ›
- последняя »
