ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
24
2. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ДИФФУЗИИ
ПРИМЕСЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИК
2. 1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
1. Изучить технологическое оборудование и освоить техно-
логический процесс диффузии примесей в кремний.
2. Освоить методики определения поверхностной концент-
рации примесей глубины залегания p– n – перехода, распреде-
ления примесей.
2. 2. ТЕХНИКА ПРОВЕДЕНИЯ ПРОЦЕССОВ
ДИФФУЗИИ
Диффузию проводят в сравнительно ограниченном диа-
пазоне температур. Для кремния, например, это диапазон 1100 –
1250
0
С или с учетом процесса загонки при двухстадийной
диффузии 1000 – 1250
0
С . Ниже 1000
0
С значения коэффи-
циентов диффузии очень малы и глубина диффузии незначи-
тельна. Выше 1300
0
С качество диффузионных слоев неудов-
летворительно.
В зависимости от способа введения в полупроводники диф-
фузанта различают диффузию из газовой, из жидкой и из твер-
дой фазы.
2. 2. 1. Диффузия из газовой фазы
Если в изолированный рабочий объем диффузионной
установки поместить пластину полупроводника и примесный
элемент и нагреть их до высокой температуры, то вследствие
сублимации или испарения примесного элемента в рабочем
объеме вскоре установится определенное парциальное давление
его паров.
В достаточно узком диапазоне температур зависимость
между давлением паров Р и абсолютной температурой Т
выра-
жается уравнением
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- …
- следующая ›
- последняя »
