ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
26
полупроводником и жидкой поверхностной фазой, состоящей из
окисла, например S
i
O
2
,
первоначально присутствующего на
полупроводнике, и донорного либо акцепторного окисла,
используемого при диффузии. При температуре выдержки в
реагирующей фазе устанавливается равновесная концентрация
доноров или акцепторов. Скорость перехода примеси из этой
фазы в полупроводник очень велика и распределение примеси
соответствует случаю источника с постоянной поверхностной
концентрацией, как и при наличии сплава.
2. 2. 3. Диффузия из твердой фазы
Это диффузия из твердого раствора примеси в одной
области полупроводника в примыкающую к ней другую область
этого же полупроводника, свободную от примеси данного типа.
Таким образом, для диффузии из твердой фазы характерно
наличие начального резкого перепада концентраций диф-
фундирующей примеси. Структуры со ступенчатым начальным
распределением примеси получают при выращивании эпитак
-
сиальных пленок, путем создания рекристаллизированного слоя
при сплавлении или путем предваретельного диффузионного
или ионно-лучевого легирования тонкого поверхностного слоя
полупроводника. Эти виды структур различаются по толщине
легированного слоя, из которого идет диффузия.
2.3. СПОСОБЫ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
ПРОЦЕССОВ ДИФФУЗИИ
В настоящее время насчитывается значительное количество
технологических способов проведения диффузионных процесс-
сов. Рассмотрим только основные способы создания диффузии-
онных слоев в кремнии.
2. 3. 1. Диффузия в замкнутом объеме
Пластины кремния помещаются совместно с некоторым
количеством примеси в кварцевую ампулу, которая откачи-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- …
- следующая ›
- последняя »
