Технология радиоэлектронных средств. Ч.1. Светличный А.М - 27 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

вается до давления 10

-4

– 10

-5

мм рт. ст. и запаивается. Иногда

ампула заполняется чистым инертным газом. Далее ампулу

выдерживают при высокой температуре определенное время, в

течение которого идет процесс диффузии газообразной примеси

в кремний.

Давление паров примеси, устанавливающееся над поверх-

ностью кремния, определяет величину поверхностной концент-

рации, поэтому, изменяя концентрацию примеси в газовой фазе,

Рис. 2.1

можно менять в широких пределах поверхностную концент-

рацию примеси. Возможность такого упраления процессами

диффузии является существенным достоинством данного

способа. Для изменения давления паров можно использовать

замкнутую систему, представляющую собой эвакуированную

замкнутую систему с отростком. На рис. 2.1 представлена схема

установки для диффузии в замкнутом объеме, где 1, 2 –

трубчатые печи; 3 – кварцевая труба; 4 – кварцевая

кассета с

пластинами; 5 – диффузант; 6 – кварцевая ампула.

Изменением температуры примеси, находящейся в отростке,

можно регулировать давление паров диффузанта