ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
25
Р= Р
0
exp(─A/RT),
где А – теплота испарения;
R – газовая постоянная;
Р
0
– константа , характеризующая данную систему.
Молекулы пара будут адсорбироваться всеми поверх-
ностями, в том числе и поверхностью пластины, а при
достаточно большой температуре будут диффундировать вглубь
пластины. Если скорость притока новых молекул взамен ушед-
ших в полупроводник равна или больше скорости диффузии, а
концентрация атомов в паре мала, то поверхностная концент
-
рация определяется только парциальным давлением примесного
пара. В идеальном случае равновесная концентрация пропор-
циональна давлению пара, поэтому управле-ние поверхностной
концентрацией осуществляют путем контроля давления пара.
2. 2. 2. Диффузия из жидкой фазы
При больших парциальных давлениях концентрация
примеси в поверх-ностном слое может быть такой, что будет
образовываться жидкая фаза, если позволяет диаграмма
состояния. Практически различают два типа взаимо-действий на
поверхности: образование сплава и химическое взаимодействие.
Примесные элементы (например, алюминий, индий и
галлий) могут быть нанесены на пластину полупроводника
испарением в
вакууме. При следующей диффузии на
поверхности пластин в соответствии с фазовой диаграммой
образуется жидкий сплав. Поверхностная концентрация
определяется только термодинамическими свойствами системы
примесь – полупроводник и равна предельной растворимости
примеси при данной температуре диффузии.
Второй тип взаимодействий на поверхности заключается в
химической реакции донорной или акцепторной примеси с
полупроводником. Обычно имеет
место взаимодействие между
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- …
- следующая ›
- последняя »
