Электрофизические методы исследования. Кондуктометрия неоднородных материалов. Трухан Э.М - 10 стр.

                                                                                          10


. Частотная зависимость ε' и ε'' в (2.13) и (2.14) выражена как функция от
безразмерных параметров t+ и t–:

     t+ = ωε2/2nqu+ =ω/2ωM+ , t–= ωε2 /2nqu–=ω/2ω– .                           (2.16)

ωМ+ и ωМ—«максвелловские» частоты для положительных и отрицательных
зарядов. При u+= u— смысл t становится особенно простым:

                         t+ =t–≡ t = ωε2/σ2=ω/ωΜ, (2.17)

где σ 2 – удельная омическая проводимость материала проводящего включения.
На рис.2.1 показаны примеры частотной дисперсии эквивалентных параметров
слоистой системы.




      Рис.2.1. Частотная зависимость эквивалентных параметров. По
горизонтальной оси отложено отношение текущей частоты ω к частоте
дисперсии ω0, по вертикальной оси: 1-(ε‫ ׀‬- ε∞)/(ε0 - ε∞); 2- ε‫׀׀‬/(ε0 - ε∞); 3- σ(ω)/σ∞.


Кривые построены для случая исчезающе тонкого слоя изолятора (а1 = 0) и h = 1
и соответствуют двум предельным случаям: u+= u– (сплошная кривая) u+= 0
(пунктирная кривая). Видно, что частотная зависимость напоминает обычную
дисперсию дебаевского» типа с точкой дисперсии для данного случая t–= 10. В
общем случае зависимость положения точки дисперсии, t0, от параметров
системы имеет вид:

              t0 = (a1h + 2 thh/2)*(1 +a1)–1*( h–2 thh/2) –1 (2.18)

   Сопоставляя этот результат с выражением для частоты дисперсии в теории
                                                                                          10