Получение тонких пленок сложного состава методом испарения и конденсации в вакууме. Юраков Ю.А. - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

12
больше, чем свободная энергия диссоциации составляющих
A(т) = A(г) и
2
1
B(m)=B(
г)
2
. (15)
Это проявляется в различии давления паров: над соединением оно меньше,
чем над чистыми элементами. Поэтому при заданных давлениях паров со-
ставляющих компонентов над поверхностью подложки существует область
температур подложки, в пределах которой пары пересыщены по отноше-
нию к соединению, но недосыщены по отношению к элементам. Степень
пересыщения, необходимая для осаждения соединения, зависит от коэф-
фициента конденсации. Определив коэффициенты конденсации для ком-
понентов, можно получить величины температур и падающего потока па-
ра, при которых может осаждаться только соединение. Степень свободы в
выборе величины отношения потоков составляющих называется стехио-
метрическим интервалом.
Молекулярно-лучевая эпитаксия
Для получения высококачественных тонких пленок сложного соста-
ва и многослойных структур чаще всего используют механизмы эпитакси-
ального роста материала пленки на соответствующей монокристалличе-
ской подложке. Наибольшее распространение получил метод молекуляр-
но-лучевой эпитаксии (МЛЭ), позволяющий формировать совершенные
монокристаллические слои различных материалов в условиях сверхвысо-
кого вакуума. Название метода связано с тем, что в условиях сверхвысоко-
го вакуума (давление остаточных газов атмосферы ниже 10
–8
мм рт. ст.)
испаряющиеся атомы или молекулы вещества распространяются прямоли-
нейно вследствие практически полного отсутствия взаимодействия с моле-
кулами остаточного газа. При этом испарение проводится, как правило,
одновременно из нескольких источников, что делает методику МЛЭ наи-
более близкой к методике получения пленок из двух испарителей. Моле-
кулярно-лучевая эпитаксия является развитием технологии вакуумного
напыления, связанным с высоким уровнем контроля технологического
процесса. В методе МЛЭ тонкие монокристаллические слои формируются
на поверхности нагретой монокристаллической подложки за счет реакции
между частицами молекулярных или атомных пучков.

Страницы