Получение тонких пленок сложного состава методом испарения и конденсации в вакууме. Юраков Ю.А. - 13 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис. 2. Схема установки молекуляро-лучевой эпитаксии

По сравнению с другими методами получения тонких пленок МЛЭ

характеризуется, прежде всего, малой скоростью и относительно низкой

температурой роста. Такие условия осаждения наиболее близки к равно-

весным, что дает возможность получения наиболее совершенных в отно-

шении кристаллической структуры материалов. К достоинствам метода

следует отнести также возможность резкого прерывания и возобновления

поступления на поверхность подложки пучков различных материалов, что

особенно важно для формирования многослойных структур с резкими гра-

ницами между слоями.

В технологии МЛЭ широко применяется оборудование для подго-

товки поверхности подложки, а также анализа получаемых пленок и под-

ложки непосредственно внутри вакуумного объема (in situ). Вместе с этим,

технологические процессы МЛЭ характеризуются высоким уровнем авто-

матизации. Для контроля состава остаточных газов и молекулярных пуч-

ков используют масс-спектрометрию (рис. 2). Структуру подложки и

пленки в процессе роста определяют методами дифракции отраженных

быстрых электронов (энергия до 50 кэВ). Состав пленки и поверхности

подложки контролируют методом Оже-электронной спектроскопии (ОЭС).

Для подготовки поверхности подложки в некоторых случаях используют

распыление низкоэнергетическими ионами (энергия до 5 кэВ) инертных

газов, например Ar+, с последующим отжигом для восстановления нару-

шенной ионной бомбардировкой структуры поверхностного слоя. Вакуум-

ный отжиг можно использовать отдельно для очистки поверхности подло-