Получение и исследования наноструктур. Вальднер В.О - 91 стр.

UptoLike

Рубрика: 

91
Контроль вакуума
Осуществляется при помощи вакуумметра ионизационно-
термопарного 2-ого (ВИТ-2) и термопарной лампы (ПМТ-2).
Рис. 38. Схематическое изображение ВИТ-2
Образцы
В качестве образцов в работе используются: стекло лабора-
торное, пластины монокристаллического кремния КЭФ-4,5 (1,0,0)
и наноразмерные пленки ITO на стекле.
ITO на стеклянной подложкепленка оксидов индия и
олова, которая является полупроводником n-типа. ITO покры-
тие прозрачно и обладает высокой проводимостью, что нашло
широкое применение в оптоэлектронике, в
производстве сол-
нечных батарей, а также в производстве жидко-
кристаллических мониторов.
ITO образуется замещением атомов In атомами Sn в решётке
In
2
O
3
, связываясь с кислородом оксида индия. Олово существует в
этой структуре виде 2 оксидов олова – SnO и SnO
2
.
КЭФ 4,5 (1,0,0) – также является полупроводником n-типа. Это
кремний, легированный фосфором. Ориентация пластин кремния -
(1,0,0), а их удельная проводимость составляет 4,5 Ом·см.
                               91

                       Контроль вакуума

    Осуществляется при помощи вакуумметра ионизационно-
термопарного 2-ого (ВИТ-2) и термопарной лампы (ПМТ-2).




           Рис. 38. Схематическое изображение ВИТ-2

                            Образцы

      В качестве образцов в работе используются: стекло лабора-
торное, пластины монокристаллического кремния КЭФ-4,5 (1,0,0)
и наноразмерные пленки ITO на стекле.
      ITO на стеклянной подложке – пленка оксидов индия и
олова, которая является полупроводником n-типа. ITO покры-
тие прозрачно и обладает высокой проводимостью, что нашло
широкое применение в оптоэлектронике, в производстве сол-
нечных батарей, а также в производстве жидко-
кристаллических мониторов.
      ITO образуется замещением атомов In атомами Sn в решётке
In2O3, связываясь с кислородом оксида индия. Олово существует в
этой структуре виде 2 оксидов олова – SnO и SnO2.
      КЭФ 4,5 (1,0,0) – также является полупроводником n-типа. Это
кремний, легированный фосфором. Ориентация пластин кремния -
(1,0,0), а их удельная проводимость составляет 4,5 Ом·см.