ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
98
лью данного этапа является освоить порядок работы на плазмен-
ном модуле СВЧ (см. выше).
Визуальный контроль изменения состояния поверхности образца
при плазмохимической обработке
На стеклянную подложку наносится тонкий слой органиче-
ского вещества.
Подложка помещается на оснастку.
Далее проводятся операции, описанные в главе “Порядок
работы на плазменном модуле СВЧ”.
После извлечения подложки из вакуумной камеры произво-
дится осмотр поверхности стекла, делаются выводы.
Плазмохимическая обработка ITO покрытия на стеклянной
подложке
Подложка, с нанесённым на неё ITO покрытием, помещает-
ся на оснастку.
Повторяется последовательность операций, описанная в
главе “Порядок работы на плазменном модуле СВЧ”.
После плазмохимической обработки образца проводят изме-
рения на ИУС-3, описанные в главе “Порядок работы на ИУС-3”.
По полученным результатам строят график зависимости ρ/
(Ом/ или кОм/
) от времени травления (с).
Плазмохимическая обработка пластин КЭФ-4,5 (1,0,0)
Последовательность выполнения данного этапа лаборатор-
ной работы аналогична таковой для “плазмохимической обработ-
ки ITO покрытия на стеклянной подложке”, но вместо ITO ис-
пользуется пластина КЭФ-4,5 (1,0,0).
Обработка экспериментальных данных
Используя формулу
R
d
ρ
=
, где d – толщина проводящего
слоя образца в см, ρ – удельная проводимость, а R – его удельное
поверхностное сопротивление. По данным, полученным в резуль-
98
лью данного этапа является освоить порядок работы на плазмен-
ном модуле СВЧ (см. выше).
Визуальный контроль изменения состояния поверхности образца
при плазмохимической обработке
На стеклянную подложку наносится тонкий слой органиче-
ского вещества.
Подложка помещается на оснастку.
Далее проводятся операции, описанные в главе “Порядок
работы на плазменном модуле СВЧ”.
После извлечения подложки из вакуумной камеры произво-
дится осмотр поверхности стекла, делаются выводы.
Плазмохимическая обработка ITO покрытия на стеклянной
подложке
Подложка, с нанесённым на неё ITO покрытием, помещает-
ся на оснастку.
Повторяется последовательность операций, описанная в
главе “Порядок работы на плазменном модуле СВЧ”.
После плазмохимической обработки образца проводят изме-
рения на ИУС-3, описанные в главе “Порядок работы на ИУС-3”.
По полученным результатам строят график зависимости ρ/
(Ом/ или кОм/ ) от времени травления (с).
Плазмохимическая обработка пластин КЭФ-4,5 (1,0,0)
Последовательность выполнения данного этапа лаборатор-
ной работы аналогична таковой для “плазмохимической обработ-
ки ITO покрытия на стеклянной подложке”, но вместо ITO ис-
пользуется пластина КЭФ-4,5 (1,0,0).
Обработка экспериментальных данных
ρ
Используя формулу d= , где d – толщина проводящего
R
слоя образца в см, ρ – удельная проводимость, а R – его удельное
поверхностное сопротивление. По данным, полученным в резуль-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 96
- 97
- 98
- 99
- 100
- …
- следующая ›
- последняя »
