Получение и исследования наноструктур. Вальднер В.О - 98 стр.

UptoLike

Рубрика: 

98
лью данного этапа является освоить порядок работы на плазмен-
ном модуле СВЧ (см. выше).
Визуальный контроль изменения состояния поверхности образца
при плазмохимической обработке
На стеклянную подложку наносится тонкий слой органиче-
ского вещества.
Подложка помещается на оснастку.
Далее проводятся операции, описанные в главеПорядок
работы на плазменном модуле СВЧ”.
После извлечения подложки из вакуумной камеры произво-
дится осмотр поверхности стекла, делаются выводы.
Плазмохимическая обработка ITO покрытия на стеклянной
подложке
Подложка, с нанесённым на неё ITO покрытием, помещает-
ся на оснастку.
Повторяется последовательность операций, описанная в
главеПорядок работы на плазменном модуле СВЧ”.
После плазмохимической обработки образца проводят изме-
рения на ИУС-3, описанные в главеПорядок работы на ИУС-3”.
По полученным результатам строят график зависимости ρ/
(Ом/ или кОм/
) от времени травления (с).
Плазмохимическая обработка пластин КЭФ-4,5 (1,0,0)
Последовательность выполнения данного этапа лаборатор-
ной работы аналогична таковой дляплазмохимической обработ-
ки ITO покрытия на стеклянной подложке”, но вместо ITO ис-
пользуется пластина КЭФ-4,5 (1,0,0).
Обработка экспериментальных данных
Используя формулу
R
d
ρ
=
, где d – толщина проводящего
слоя образца в см, ρудельная проводимость, а R – его удельное
поверхностное сопротивление. По данным, полученным в резуль-
                                98

лью данного этапа является освоить порядок работы на плазмен-
ном модуле СВЧ (см. выше).
Визуальный контроль изменения состояния поверхности образца
              при плазмохимической обработке
     На стеклянную подложку наносится тонкий слой органиче-
ского вещества.
     Подложка помещается на оснастку.
     Далее проводятся операции, описанные в главе “Порядок
работы на плазменном модуле СВЧ”.
     После извлечения подложки из вакуумной камеры произво-
дится осмотр поверхности стекла, делаются выводы.
  Плазмохимическая обработка ITO покрытия на стеклянной
                        подложке
     Подложка, с нанесённым на неё ITO покрытием, помещает-
ся на оснастку.
     Повторяется последовательность операций, описанная в
главе “Порядок работы на плазменном модуле СВЧ”.
     После плазмохимической обработки образца проводят изме-
рения на ИУС-3, описанные в главе “Порядок работы на ИУС-3”.
     По полученным результатам строят график зависимости ρ/
(Ом/ или кОм/ ) от времени травления (с).
     Плазмохимическая обработка пластин КЭФ-4,5 (1,0,0)
     Последовательность выполнения данного этапа лаборатор-
ной работы аналогична таковой для “плазмохимической обработ-
ки ITO покрытия на стеклянной подложке”, но вместо ITO ис-
пользуется пластина КЭФ-4,5 (1,0,0).

           Обработка экспериментальных данных

                                ρ
      Используя формулу    d=       , где d – толщина проводящего
                                R
слоя образца в см, ρ – удельная проводимость, а R – его удельное
поверхностное сопротивление. По данным, полученным в резуль-