ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Просеивание основного компонента на других ярусах решет
при i>m , работающих с накопителями слоя, несколько отличается от
рассмотренного процесса при i
≤
m. Это отличие обусловлено тем, что
часть основного компонента просеивается на накопителе, что может
приводить к определенному уменьшению толщины слоя материала на
решетах. Однако, поскольку практический интерес представляют нако-
пители с пропускной способностью в 3…4 раза меньшей, чем у основ-
ных решет, то с допустимой погрешностью можно распространить
формулу (3.36) на процесс просеивания для остальных ярусов каскад-
ного решетного стана.
Рассмотрим теперь процесс просеивания мелкого компонента.
В общем виде процесс просеивания мелкого компонента через
решето n – го яруса представляется формулой [72]:
∫
+
=
t
м
nnn
м
n
м
n
dssysshs
t
0
)()(
)(
,
)(
)()](v)()([
ψ
ε
(3.37)
где
ψ
(м)
n
(t) – функция интенсивности просеивания мелкого компонента
через n – й ярус решетного стана, с
-1
; V
n
(t) – скорость просеивания зер-
нового материала через n – й ярус, м/с; h
n
(t) – толщина зернового слоя
на n – м ярусе, м; Y
(м)
n
(t) – линейная плотность мелкого компонента в
зерновом слое на n – м ярусе, м
-1
, определяемая по формуле (3.38):
()
+=
×
×
∫∫∫
−
−
−
−−
−
=
.
)(
)(
)()(
)(
;)(
)(
)]()((][()(exp[)](][)(exp[
1
1
11
1
)(
000
)(
t
h
n
t
Vt
n
t
м
n
n
dss
Y
м
n
tts
s
V
n
s
n
drr
n
t
h
n
dss
n
t
Y
n
м
ψ
λ
λλ
λ
(3.38)
Определим выражения входящих в формулу (3.37) функций
применительно к условиям «вертикальной» загрузки.
Толщина слоя на первом решете определяется по формуле:
>
−
=<≤
−
=
,,
;
Q
Q
Q
0
,
)(
)0(
1
1
)0(
)0(
)0(
0
1
tt
h
tt
t
h
m
H
t
h
э
p
э
э
э
p
µ
µ
, (3.39)
где H
0
– толщина слоя материала, подаваемого на решетный стан, м; h
э
– толщина элементарного слоя основного компонента на решете, м.
Величины H
0
и h
э
связаны с Q и Q
э
формулами:
,
Q
;
Q
0
γγ
BW
h
BW
H
э
э
==
(3.40)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- …
- следующая ›
- последняя »
