ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
будем применять методы физики фракталов для изучения структуры раз-
рядных каналов, возникающих при пробое диэлектрика, фрактальная раз-
мерность которых зависит от свойств диэлектрика и вида прикладываемо-
го напряжения. Фрактальная размерность имеет важное значение для пол-
ного понимания физики пробоя диэлектриков.
Трехмерная структура Фрактальная структура
Рис. 6 Рис. 7
Зависимость числа элементов от размера фрактала
ln n
α
ln R
Рис. 8
1.3. Фрактальная модель роста разрядной структуры
Фрактальная модель развития разряда основана на совместном рас-
смотрении как случайных, так и детерминированных процессов. Детерми-
нированные закономерности используются для определения распределе-
ния электрических полей, зарядов, токов в диэлектрике, а случайные – для
описания роста разрядных каналов. Необходимость применения стохасти-
ческих закономерностей связана с определяющей ролью неустойчивостей
в развитии разрядных каналов. В
результате развития любой неустойчиво-
сти микроскопические флуктуации параметров диэлектрика быстро нарас-
76
будем применять методы физики фракталов для изучения структуры раз- рядных каналов, возникающих при пробое диэлектрика, фрактальная раз- мерность которых зависит от свойств диэлектрика и вида прикладываемо- го напряжения. Фрактальная размерность имеет важное значение для пол- ного понимания физики пробоя диэлектриков. Трехмерная структура Фрактальная структура Рис. 6 Рис. 7 Зависимость числа элементов от размера фрактала ln n α ln R Рис. 8 1.3. Фрактальная модель роста разрядной структуры Фрактальная модель развития разряда основана на совместном рас- смотрении как случайных, так и детерминированных процессов. Детерми- нированные закономерности используются для определения распределе- ния электрических полей, зарядов, токов в диэлектрике, а случайные – для описания роста разрядных каналов. Необходимость применения стохасти- ческих закономерностей связана с определяющей ролью неустойчивостей в развитии разрядных каналов. В результате развития любой неустойчиво- сти микроскопические флуктуации параметров диэлектрика быстро нарас- 76
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 74
- 75
- 76
- 77
- 78
- …
- следующая ›
- последняя »