Электротехнические материалы и техника высоких напряжений. Закарюкин В.П. - 76 стр.

UptoLike

Составители: 

Рубрика: 

будем применять методы физики фракталов для изучения структуры раз-
рядных каналов, возникающих при пробое диэлектрика, фрактальная раз-
мерность которых зависит от свойств диэлектрика и вида прикладываемо-
го напряжения. Фрактальная размерность имеет важное значение для пол-
ного понимания физики пробоя диэлектриков.
Трехмерная структура Фрактальная структура
Рис. 6 Рис. 7
Зависимость числа элементов от размера фрактала
ln n
α
ln R
Рис. 8
1.3. Фрактальная модель роста разрядной структуры
Фрактальная модель развития разряда основана на совместном рас-
смотрении как случайных, так и детерминированных процессов. Детерми-
нированные закономерности используются для определения распределе-
ния электрических полей, зарядов, токов в диэлектрике, а случайныедля
описания роста разрядных каналов. Необходимость применения стохасти-
ческих закономерностей связана с определяющей ролью неустойчивостей
в развитии разрядных каналов. В
результате развития любой неустойчиво-
сти микроскопические флуктуации параметров диэлектрика быстро нарас-
76
будем применять методы физики фракталов для изучения структуры раз-
рядных каналов, возникающих при пробое диэлектрика, фрактальная раз-
мерность которых зависит от свойств диэлектрика и вида прикладываемо-
го напряжения. Фрактальная размерность имеет важное значение для пол-
ного понимания физики пробоя диэлектриков.

     Трехмерная структура          Фрактальная структура




          Рис. 6                             Рис. 7

          Зависимость числа элементов от размера фрактала
                       ln n

                                   α


                                          ln R
                                 Рис. 8


     1.3. Фрактальная модель роста разрядной структуры
      Фрактальная модель развития разряда основана на совместном рас-
смотрении как случайных, так и детерминированных процессов. Детерми-
нированные закономерности используются для определения распределе-
ния электрических полей, зарядов, токов в диэлектрике, а случайные – для
описания роста разрядных каналов. Необходимость применения стохасти-
ческих закономерностей связана с определяющей ролью неустойчивостей
в развитии разрядных каналов. В результате развития любой неустойчиво-
сти микроскопические флуктуации параметров диэлектрика быстро нарас-

                                   76