Методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники - 66 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

пленки и наноструктуры», 22-26 ноября 2005 г. – М.: Изд-во

МИРЭА, 2005. – Ч. 1 – С. 160-163.

41. Агеев О.А. и др. Формирование наноразмерных

структур в пленке титана методом фотонностимулированного

локального анодного окисления / Материалы IV МНК

«Молодые ученые-2006». – М. Изд-во МИРЭА, 2006. – Т. 2. – С.

219-222.

42. Abadal G., P´erez-Murano F., Barniol N., Aymerich X.

Field induced oxidation of silicon by SPM: study of the mechanism

at negative sample voltage by STM, ESTM and AFM / J. Appl. Phys.

Lett. – 1998. – A 66. – P. 791-795.

43. Dagata J.A. et al. Modification of hydrogen-passivated

silicon by a scanning tunneling microscope operating in air / J. Appl.

Phys. Lett. – 1990. – Vol. 56. – P. 2001-2003.

44. Гаврилов С.А. и др. Исследование особенностей

процесса локального окисления пленок титана на основе

сканирующей зондовой микроскопии / Известия вузов.

Электроника. – 2000. – № 3. – С. 27-33.

45. Булатов А. Н., Неволин В.К. Анодное окисление

тонких пленок алюминия в атомно-силовом микроскопе /

Микросистемная техника. – 2003. – № 11. – С. 42-44.

46. Lazzarino M., Padovani M., Mori G., Sorba L., Fanetti M.

and Sancrotti M. Chemical composition of GaAs oxides grown by

local anodic oxidation: a spatially resolved Auger study / Chemical

Physics Letters. – 2005. – V. 402. – P. 155-159.