Методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники - 67 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

67
47. Workman R.K., Peterson C.A., Sarid D. Current-dependent
growth of silicon nitride lines using a conducting tip AFM / Surface
Science. – 1999. – 423. – P. L277–L279.
48. Dubois E., Jean-Luc Bubbendor Nanometer scale
lithography on silicon, titanium and PMMA resist using scanning
probe microscopy / Solid-State Electronics. – 1999. – V. 43. – P.
1085-1089.
49. Соколов Д. В. Нанооксидирование и нанотравление n-
In0,53Ga0,47As с помощью атомно-силового микроскопа /
Научное приборостроение. – 2001. – Т. 11. – № 1. – С. 15-21.
50. Волков Р.Л. Локальное анодное окисление
пиролитического графита в атомно-силовом микроскопе /
Материалы IV МНК «Молодые ученые-2006». – М.: Изд-во
МИРЭА, 2006. – Т. 2. – С. 42-44.
51. Irmer B., Kehrle M., Lorenz H., and Kotthau J. P.
Fabrication of Ti/TiO
x
tunneling barriers by tapping mode atomic
force microscopy induced local oxidation / Appl. Phys. Lett. – 1977.
– 71 (12). – 22. – P. 1733-1735.
52. Shirikasi J., Matsumoto K., Miura N. and Konagai M.
Single-Electron Transistors (SETs) with Nb/Nb Oxide System
Fabricated by Atomic Force Microscope (AFM) Nano-Oxidation
Process / Jpn. J. Appl. Phys. – 1997. – V. 36. – P. L1257-L1260.
53. Shirakashi Jun-ichi, Kazuhiko Matsumoto, Naruhisa Miura
and Makoto Konagai Room Temperature Nb-Based Single-Electron
Transistors / Jpn. J. Appl. Phys. – 1998. – Vol. 37. – P. 1594-1598.

Страницы