Физические основы микроэлектроники. Базир Г.И. - 72 стр.

UptoLike

Составители: 

71
Обозначим P
ab
b
=
2
lim
2
0
0
β
β
. (218)
Заметим, что Р в (218)это не квазиимпульс. Параме тр Р представляет
собой меру эффективной площади каждого барьера. Он характеризует степень
прозрачности барьера для электронов или, другими словами, степень связанно-
сти электрона в потенциальной яме.
С учетом этого:
kaa
a
a
P coscos
sin
=+
α
α
α
, (219)
cos
αачетная функция, замена k на –k не меняет уравнения (219), следова-
тельно, энергия электрона также является четной функцией k, т. е.
E(-k)=E(k). (220)
На рисунке 31 изображена зависимость левой части уравнения (219) от
параметра αа. Поскольку cos ka, стоящий в правой части (219), может прини-
мать значения от +1 до –1, то допус тимые значения
αа будут только те, кото-
рый не выходят из указанных пределов.
Рис. 31
Ширина допустимых интервалов
αа зависит от параметра Р: чем меньше
Р, тем интервал шире. При любом фиксированном Р эти интервалы расширяют-
ся с увеличением
αа.
В силу соотношения (210) между
α и Е-энергией электрона, сказанное
относится и к энергии.
Следовательно, энергия электрона в кристалле не может принимать лю-
бые значения. Есть зоны разрешенных энергий и зоны запрещенных энергий.
Чередование зон представлено на рисунке 32.