ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
12
(
)
[
]
(
)
[
]
()
()
SCSDi
Y
Di
Y
Di
pn
QYFLqn
dFLqndY
YF
YY
Lqn
QQ
SS
==
==
−−−−
=+
∫∫
−
λ
λ
λλ
,2
2
,
1exp1exp
00
1
(24)
Таким образом, сумма избытков зарядов электронов и дырок представляет
собой полный заряд ОПЗ.
Типичная зависимость полного заряда Q
SC
от поверхностного потенциала
ψ
S
показана на рис. 3. Она рассчитана для МДП -структуры на кремниевой подложке
p-типа с N
A
=4•10
15
см
-3
при комнатной температуре.
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-9
-0.2
0
0.2
0.4
0.6 0.8
1
E
V
Слабая
инверсия
≈
√
ψ
s
2
ϕ
B
≈
exp(
q
ψ
S
/
2
kT)
Сильная
инверсия
≈
exp(
q
ψ
S
/2
kT)
Обогащение
ψ
S
,B
Q
SC
,Кл
/
см
2
E
C
Обедне-
ние
ϕ
B
E
i
Рис. 3. Зависимость плотности объемного заряда в полупроводнике (на
единицу площади границы раздела ) от поверхностного потенциала
ψ
S
для кремния p-типа с N
А
=4•10
15
см
-3
.
При отрицательных ψ
S
заряд Q
SC
положителен, что соответствует
аккумуляции дырок на поверхности (обогащение). В этом случае в выражении
(18) доминирует второе слагаемое, так что
(
)
kTq
Q
S
SC
2exp~ ψ
. В состоянии
плоских зон ψ
S
=0 и Q
SC
=0. В режимах обеднения и слабой инверсии в выражении
(15) доминирует третье слагаемое, и заряд ОПЗ
S
SC
Q
ψ~
. При сильной инверсии
BS
ϕ
ψ
2
>
доминирующим в выражении (1.15) становится первое слагаемое. В
этом случае
(
)
kTq
Q
S
SC
2exp~ ψ
. Сильная инверсия наступает при поверхностном
потенциале
i
A
B
invS
n
N
q
kT
ln22
)(
== ϕ
ψ
, (25)
λ−1[exp(Y ) − 1] − λ[exp(− Y ) − 1] YS Y S Qn + Q p = qni LD ∫ dY = 2qni LD ∫ dF = F (Y , λ ) 0 0 (24) = 2qni LD F (YS , λ ) = QSC Та ки м о б р а зо м, сумма и зб ытко в за р ядо в эле ктр о но в и дыр о к пр е дста вляе т со б о й по лный за р яд О П З. Ти пи чна я за ви си мо сть по лно го за р яда QSC о тпо ве р хно стно го по те нци а ла ψS по ка за на на р и с. 3. О на р а ссчи та на для М Д П -стр уктур ы на кр е мни е во й по дло ж ке p-ти па с NA=4•1015 см-3 пр и ко мна тно й те мпе р а тур е . QSC,Кл /с м 2 ≈exp( ψS /2kT) -4 Сqи л ьн ая 10 ≈exp( ψS /2 kT) и н вер с и я Оqбогащ е н и е -5 10 2ϕ B -6 10 ≈√ ψs -7 10 О бе дн е - С л абая -8 10 EV н и е E и н в ер с и я EC i -9 ϕB 10 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 ψ S ,B Ри с. 3. За ви си мо сть пло тно сти о б ъ е мно го за р яда в по лупр о во дни ке (на е ди ни цу пло щ а ди гр а ни цы р а зде ла ) о т по ве р хно стно го по те нци а ла ψS для кр е мни я p-ти па с NА=4•1015см-3. П р и о тр и ца те льных ψS за р яд QSC по ло ж и те ле н, что со о тве тствуе т а ккумуляци и дыр о к на по ве р хно сти (о б о га щ е ни е ). В э то м случа е в выр а ж е ни и (18) до ми ни р уе т вто р о е сла га е мо е , та к что Q SC ~ exp(q ψ S 2kT ) . В со сто яни и пло ски х зо н ψS=0 и QSC=0. В р е ж и ма х о б е дне ни я и сла б о й и нве р си и в выр а ж е ни и (15) до ми ни р уе ттр е тье сла га е мо е , и за р яд О П З Q SC ~ ψ S . П р и си льно й и нве р си и ψ S > 2ϕ B до ми ни р ую щ и м в выр а ж е ни и (1.15) ста но ви тся пе р во е сла га е мо е . В э то м случа е Q SC ~ exp(qψ S 2kT ) . Си льна я и нве р си я на ступа е тпр и по ве р хно стно м по те нци а ле kT N A ψ S ( inv ) = 2 ϕ B = 2 ln , (25) q ni 12
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- …
- следующая ›
- последняя »