Методы расчета ионно-имплантированных структур. Быкадорова Г.В - 11 стр.

                                        11
   г)       зависимость      глубины        залегания эмиттерного p-n перехода
       от энергии ионов фосфора в диапазоне 100÷250 кэВ при дозе 150 мкКл/см2,
       если базовая имплантация ионов бора проводилась с энергией 120 кэВ и
       дозой 10 мкКл/см2;
   д) зависимость глубины залегания эмиттерного p-n перехода от дозы
       имплантации ионов фосфора в диапазоне 100÷200 мкКл/см2 при энергии
      200 кэВ, если базовая имплантация ионов бора проводилась с энергией
      100 кэВ и дозой 10 мкКл/см2;
   е) при какой энергии максимум концентрации ионов бора находится на
       глубине залегания эмиттерного p-n перехода, если имплантация фосфора
       проводится при энергии 180 кэВ с дозой 150 мкКл/см2, а доза имплантации
       бора равна 10 мкКл/см2;
   ж) энергию ионов бора, при которой глубина залегания эмиттерного p-n
       перехода будет равна 0.5 мкм, если доза имплантации фосфора равна
       150 мкКл/см2, а базовая имплантация ионами бора проводилась с энергией
       120 кэВ и дозой 8 мкКл/см2;
   и) зависимость толщины базовой области от энергии ионов фосфора в
      диапазоне 100÷250 мкКл/см2 при дозе имплантации фосфора 150 мкКл/см2 и
      базовой имплантации ионами бора с энергией 120 кэВ и дозой 10 мкКл/см2;
   к) зависимость толщины базовой области от энергии ионов бора в диапазоне
       100÷150 кэВ при дозе 10 мкКл/см2, если эмиттерная область создавалась
       внедрением ионов фосфора с энергией 180 кэВ и дозой 150 мкКл/см2.
3. Высокочастотные биполярные транзисторы с двукратно имплантированной
   базой создаются в кремниевой подложке n+-типа                 проводимости,
   на которой наращен        n-эпитаксиальный слой толщиной 3 мкм с удельным
   сопротивлением 8 Ом⋅см.
        Поверхность эпитаксиального слоя маскируется окислами SiO2 толщиной
    0.8 мкм протравленной частью толщиной 0.12 мкм на площади, включающей
    базовую область. Энергия поверхностной ионной имплантации атомов бора
    составляет 40 кэВ, а доза равна 10 мкКл/см2. Энергия глубокой ионной
    имплантации атомов бора составляет 160 кэВ, при дозе 0.5 мкКл/см2.
    Низкотемпературный отжиг базовой области проводится в инертной
    атмосфере аргона при температуре 900 °С в течение 10 минут.
        Затем стравливается маскирующий слой SiO2 в области эмиттера и
    проводится формирование эмиттера внедрением ионов мышьяка с энергией
    500 кэВ и дозой 1000 мкКл/см2. Низкотемпературный отжиг эмиттерной
    области проводится в инертной атмосфере при температуре 1000 °С в течение
    25 минут.
        Рассчитать и построить суммарный концентрационный профиль, а также
    определить:
    а) глубины залегания эмиттерного и коллекторного p-n переходов;
    б) глубину залегания точки перегиба с минимальной концентрацией на
       профиле базовой примеси, созданной двукратной имплантацией бора;