Методы расчета ионно-имплантированных структур. Быкадорова Г.В - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

12
в) интервал ∆ х от точки минимума до точки второго пика
концентрации в базовом профиле;
г) ширину базового слоя;
д) число Гуммеля.
4. Провести численные эксперименты по исследованию влияния
технологических режимов создания эмиттерных и базовых областей на
коэффициент инжекции γ биполярного транзистора с двукратно
имплантированной базой (задание 3):
,1
э
б
ээб
бэ
C
C
LWD
WD
−= γ
где D
э
, D
б
– коэффициенты диффузии эмиттерной и базовой примесей ;
б
W -
ширина базы;
э
L − характеристическая длина эмиттерной примеси , причем
.1≅
эб
бэ
LD
WD
Следовательно,
.1
э
б
C
C
−= γ
В предположении резкого p-n перехода, что правомерно для распределений
мышьяка, усредненные концентрации в областях эмиттера С
э
и базы С
б
, равны
соответственно
;
x
dx)t,x(C
C
j э
x
0
э
j э
∫
=
:
xx
dx)t,x(C
C
j эj к
x
x
б
jk
jэ
−
=
∫
а) определить интервал дозы эмиттерной имплантации, в котором
эмиттерный p-n переход будет локализован на отрезке ∆х между
минимумом и вторым пиком базовой концентрации;
б) рассчитать зависимость отношения
эб
CCS /
=
от дозы эмиттерной
имплантации в интервале 500 ÷ 2500 мкКл/см
2
;
в) определить временной интервал отжига эмиттерной примеси , в котором
эмиттерный p-n переход будет локализован на отрезке ∆х между
минимумом и вторым пиком базовой концентрации;
г) рассчитать зависимость параметра S от времени отжига эмиттерной
примеси в интервале от 25 до 55 минут.
5. Предложите технологические режимы базовой имплантации ионами мышьяка
и эмиттерной имплантации ионами бора для создания в кремниевой пластине
p-типа с удельным сопротивлением 7.5 Ом ⋅см p-n-p транзисторной структуры с 
                                                  12
   в)      интервал ∆х от точки           минимума до точки второго пика
       концентрации в базовом профиле;
    г) ширину базового слоя;
    д) число Гуммеля.
4. Провести     численные     эксперименты   по   исследованию   влияния
   технологических режимов создания эмиттерных и базовых областей на
   коэффициент инжекции γ биполярного транзистора с двукратно
   имплантированной базой (задание 3):

                                                DэWб C б
                                      γ =1 −               ,
                                               DбWэ Lэ C э

  где Dэ, Dб – коэффициенты диффузии эмиттерной и базовой примесей; Wб -
  ширина базы; Lэ −характеристическая длина эмиттерной примеси, причем
                                           DэWб
                                                  ≅1 .
                                           Dб L э

  Следовательно,
                                                 C
                                           γ =1 − б .
                                                 Cэ

  В предположении резкого p-n перехода, что правомерно для распределений
  мышьяка, усредненные концентрации в областях эмиттера Сэ и базы Сб, равны
  соответственно
                             x jэ                         x jk


                             ∫C( x, t )dx                  ∫C( x, t )dx
                                                          x jэ
                      Cэ =    0
                                             ;     Cб =                     :
                                    x jэ                       x jк −x jэ

   а)    определить интервал дозы эмиттерной имплантации, в котором
      эмиттерный    p-n переход будет локализован на отрезке ∆х между
      минимумом и вторым пиком базовой концентрации;
   б) рассчитать зависимость отношения S =Cб / C э от дозы эмиттерной
      имплантации в интервале 500 ÷2500 мкКл/см2;
   в) определить временной интервал отжига эмиттерной примеси, в котором
      эмиттерный p-n переход будет локализован на отрезке ∆х между
      минимумом и вторым пиком базовой концентрации;
   г) рассчитать зависимость параметра S от времени отжига эмиттерной
      примеси в интервале от 25 до 55 минут.
5. Предложите технологические режимы базовой имплантации ионами мышьяка
   и эмиттерной имплантации ионами бора для создания в кремниевой пластине
   p-типа с удельным сопротивлением 7.5 Ом⋅см p-n-p транзисторной структуры с

Страницы